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公开(公告)号：CN111741583B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010454669.3
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： H05H3/06
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种一体化桌面式中子发生器。包括设置在移动柜(72)的桌面上的D+离子源和直管型的冷却液导流管(3)，冷却液导流管(3)的顶端设置高压输入模块(19)，尾端设置靶电极(6)；还包括直筒型的真空腔(5)，真空腔(5)的一端与D+离子源的尾端密封连接，另一端与冷却液导流管(3)的尾端密封连接，靶电极(6)在真空腔(5)内；高压输入模块(19)为靶电极(6)提供高压电，冷却液导流管(3)为靶电极(6)提供冷却，D+离子源向靶电极(6)发射D+离子束，使靶电极(6)上产生中子。该中子发生器的中子的产生可以远程控制，结构可以拆分，主要耗材是可维修的靶片、离子源，寿命基本不受限制。
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公开(公告)号：CN111741585B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010455719.X
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明属于标记中子束无损检测技术领域，具体涉及一种用于标记中子束无损检测的移动式D‑T中子发生器，包括通过加速管(6)连接的高频离子源系统(5)和真空系统及测量单元(7)，设置在真空系统及测量单元(7)上的关联束靶系统(8)，由高频离子源系统(5)产生并引出的D+离子束通过加速管(6)加速后轰击关联束靶系统(8)中的氚靶(68)，通过D‑T反应产生14MeV的中子，关联束靶系统(8)同时对中子的产生时间和位置的测量，实现对中子的出射时间和方向的标定；还包括控制高频离子源系统(5)和加速管(6)的控制系统。本发明是可适用于关联束中子照相应用的便携式D‑T中子发生器。
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公开(公告)号：CN111698822B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010455716.6
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： H05H3/06
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种直立式中子发生器，包括设置在能够移动的主体机柜内的D+离子源和直管型的冷却液导流管，冷却液导流管垂直于地面，冷却液导流管的顶端设置高压输入模块，尾端设置靶电极，D+离子源位于靶电极下方；还包括直筒型的真空腔，真空腔的一端与冷却液导流管的尾端密封连接，另一端与D+离子源的尾端密封连接，靶电极位于真空腔内；还包括为真空腔抽真空的分子泵机组；高压输入模块为靶电极提供高压电，冷却液导流管为靶电极提供冷却，D+离子源向靶电极发射D+离子束，使得靶电极上产生中子。该中子发生器的中子的产生可以远程控制，结构可以拆分，主要耗材是可维修的靶片、离子源，寿命基本不受限制。
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公开(公告)号：CN111739674A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010454670.6
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种用于负高压加速的小型中子发生器的靶电极，包括由靶基座(2)和电极(6)组成的外表光滑的圆柱形的外壳体，设置在靶基座(2)上、位于外壳体内部的靶片(3)，靶基座(2)上设有冷却液通道(12)，电极(6)上设有束流通道(13)。该靶电极组装完成后是一个端面为圆弧状的圆柱，所有不规则结构和尖端都在靶电极内部，保证了电场分布的均匀性。该靶电极对二次电子的抑制效果好，尺寸小，功能全，靶片(3)上能承载3.5mA以上、能量为130keV的D+束流。
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公开(公告)号：CN118226500A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410050448.8
申请日：2024-01-12
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种可用于伴随粒子法监测的旋转靶。包括筒状结构的靶室、设置在靶室底部的靶室密封盖、分别设置在靶室侧壁上与靶室连通的伴随粒子靶管、束流管道和靶点监视管道，靶系统的下部设置在靶室内，上部贯穿磁流体密封装置与转动系统相连，端部与旋转接头固定，旋转接头通过水管接入冷却机，靶系统通过磁流体密封装置与靶室顶部密封，靶室形成整体真空密封。带有伴随测量系统，通过伴随粒子法实时监测中子产额；通过热成像仪，对靶片温度进行实时成像，可以观测不同聚焦条件下束斑聚焦状态，为束流调节提供依据；采用同轴式冷却结构设计，尽可能减小驱动结构，达到靶体紧凑。
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公开(公告)号：CN114582542A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210201639.0
申请日：2022-03-02
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： G21G4/02
摘要： 本发明公开了一种中子发生器，该中子发生器包括壳体、设置在壳体内的离子源以及设置在壳体内的靶组件，靶组件与离子源相对应地设置，离子源通过第一隔板固定在壳体的内壁上，离子源包括第一阴极、第二阴极以及设置在第一阴极和第二阴极之间的阳极，阳极包括至少两个阳极筒，第一阴极和第二阴极分别包括与至少两个阳极筒相对应的至少两个阴极子。通过提供具有包括至少两个阴极子的第一阴极和第二阴极以及相应地包括至少两个阳极筒的阳极的多离子源结构，以使在阴极和阳极之间电离的离子能够以多束的形式引出，增大束流的引出面积，由此降低了单位面积靶膜上的溅射速率，延长靶组件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111683449B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010455695.8
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种用于小型中子发生器的双层石英玻璃管型高压单元，包括设置在直管型的冷却液导流管(2)的两端的高压输入模块(1)和靶电极(3)，靶电极(3)外部为光滑的外壳体，内部设有靶片(24)，冷却液导流管(2)内部设有能够通过冷却液的循环流道，用于为靶片(24)制冷；高压输入模块(1)通过贯穿在冷却液导流管(2)内部的高压连接杆(20)向靶电极(3)提供高压电。高压输入模块(1)简单小巧，可避免高压输入时发生高压打火，能承载130kV高电压；冷却液导流管(2)的电击穿电压达到35kV/mm；靶电极(3)中所有不规则结构和尖端都在靶电极(3)内部，保证了电场分布的均匀性，可有效抑制二次电子。
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公开(公告)号：CN111712032B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010454689.0
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： H05H3/06
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种自屏蔽DD中子发生器，包括由第一屏蔽体(1)和第二屏蔽体(2)合拢组成的密封的立方体型的屏蔽体，第一屏蔽体(1)内部设置第一空腔(3)，第二屏蔽体(2)内部设置第二空腔(82)，当第一屏蔽体(1)和第二屏蔽体(2)合拢时，第一空腔(3)和第二空腔(82)共同构成设置中子发生器的主体部分的设备舱；中子发生器的主体部分用于通过DD反应产生中子。该中子发生器的中子的产生可以远程控制，结构可以拆分，主要耗材是可维修的靶片、离子源，寿命基本不受限制；占地面积仅2m2，实现了DD中子发生器在普通房间中的使用，无需单独建造中子屏蔽厅。
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公开(公告)号：CN111741584A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010455651.5
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： H05H3/06
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种D+离子源。设置在中子发生器的真空管上，包括尾端设有引出结构(15)、顶端与氘气钢瓶(6)相连的放电管(3)，放电管(3)的尾端设有圆盘形的离子源底盘(18)，引出结构(15)位于离子源底盘(18)中心；还包括套装在放电管(3)的外表面的电容耦合环(8)和设置在放电管(3)的顶端的阳极探针(4)。本发明采用射频电源馈入高频功率，只需一台射频电源，无需振荡器；解决了离子源向外发送干扰信号的不利问题；对引出结构进行强制制冷，提高了离子源的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111698822A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010455716.6
申请日：2020-05-26
申请人： 中国原子能科学研究院
IPC分类号： H05H3/06
摘要： 本发明属于中子发生器技术领域，具体涉及一种直立式中子发生器，包括设置在能够移动的主体机柜内的D+离子源和直管型的冷却液导流管，冷却液导流管垂直于地面，冷却液导流管的顶端设置高压输入模块，尾端设置靶电极，D+离子源位于靶电极下方；还包括直筒型的真空腔，真空腔的一端与冷却液导流管的尾端密封连接，另一端与D+离子源的尾端密封连接，靶电极位于真空腔内；还包括为真空腔抽真空的分子泵机组；高压输入模块为靶电极提供高压电，冷却液导流管为靶电极提供冷却，D+离子源向靶电极发射D+离子束，使得靶电极上产生中子。该中子发生器的中子的产生可以远程控制，结构可以拆分，主要耗材是可维修的靶片、离子源，寿命基本不受限制。
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