一种手提式中子发生器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111642054B

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202010455730.6

    申请日:2020-05-26

    IPC分类号: H05H3/06

    摘要: 本发明属于中子发生器技术领域,具体涉及一种手提式中子发生器,包括设置在主体机箱(1)内的D+离子源和冷却液导流管(3),冷却液导流管(3)的顶端设置高压输入模块,尾端设置靶电极(29);直筒型的真空腔(4)的一端与冷却液导流管(3)密封连接,另一端与D+离子源密封连接,靶电极(29)位于真空腔(4)内;冷却液导流管(3)为靶电极(29)提供冷却,D+离子源向靶电极(29)发射D+离子束,使靶电极(29)上产生中子。本发明可以人为控制中子的产生,结构可以拆分,具有可维修性,寿命基本不受限制,中子产额和尺寸满足元素活化分析检测要求,能够跟活化分析装置组装在一起,形成一体化检测装置,并能够通过手提的方式移动。

    一种测量D-T中子源源斑尺寸的装置及方法

    公开(公告)号:CN111736206A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010454702.2

    申请日:2020-05-26

    IPC分类号: G01T3/06

    摘要: 本发明属于中子源测量技术领域,具体涉及一种测量D-T中子源源斑尺寸的装置及方法,用于对设置在靶头腔室(18)内的氚靶(13)上产生的中子源源斑(12)的尺寸进行测量,该装置包括密封设置在靶头腔室(18)上的关联α探测系统(2)和位于靶头腔室(18)外部、与关联α探测系统(2)相对设置的中子探测装置(1),还包括对中子探测装置(1)测得的第一模拟信号和关联α探测系统(2)测得的第二模拟信号进行关联时间符合、得到中子源的中子源源斑(12)的尺寸的数据获取分析系统(3)。本发明能够实现α粒子图像(11)的实时成像,并实时反映中子源源斑(12)的尺寸和形状变化以及在空间位置随时间的变化。

    一种手提式中子发生器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111642054A

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN202010455730.6

    申请日:2020-05-26

    IPC分类号: H05H3/06

    摘要: 本发明属于中子发生器技术领域,具体涉及一种手提式中子发生器,包括设置在主体机箱(1)内的D+离子源和冷却液导流管(3),冷却液导流管(3)的顶端设置高压输入模块,尾端设置靶电极(29);直筒型的真空腔(4)的一端与冷却液导流管(3)密封连接,另一端与D+离子源密封连接,靶电极(29)位于真空腔(4)内;冷却液导流管(3)为靶电极(29)提供冷却,D+离子源向靶电极(29)发射D+离子束,使靶电极(29)上产生中子。本发明可以人为控制中子的产生,结构可以拆分,具有可维修性,寿命基本不受限制,中子产额和尺寸满足元素活化分析检测要求,能够跟活化分析装置组装在一起,形成一体化检测装置,并能够通过手提的方式移动。

    摆动氚钛靶装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102164450A

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:CN201010620503.0

    申请日:2010-12-23

    IPC分类号: H05H6/00

    摘要: 本发明属于核技术应用技术领域,具体涉及一种摆动氚钛靶装置,包括水平轨道、水平滑动平台、竖直轨道、竖直滑轨、水平直线电机、竖直直线电机、方法兰、波纹管和氚钛靶。水平滑动平台装配在水平轨道上,竖直轨道固定在水平滑动平台上,并与竖直滑轨装配。`钛靶通过硬管与方法兰连接,方法兰通过波纹管与加速器束流管道连接,方法兰装配竖直滑轨,并安装在竖直轨道上。在竖直轨道上设置电机座,电机座位于方法兰的正下方,电机座上安装能够带动方法兰上下运动的伺服直线电机,水平滑动平台的外侧安装能够带动其左右运动的伺服直线电机。本发明提供的技术方案能够显著地提高氚钛靶靶面的有效利用率,从而延长氚钛靶的使用寿命。

    中子发生器
    7.
    发明公开
    中子发生器 审中-实审

    公开(公告)号:CN114582542A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202210201639.0

    申请日:2022-03-02

    IPC分类号: G21G4/02

    摘要: 本发明公开了一种中子发生器,该中子发生器包括壳体、设置在壳体内的离子源以及设置在壳体内的靶组件,靶组件与离子源相对应地设置,离子源通过第一隔板固定在壳体的内壁上,离子源包括第一阴极、第二阴极以及设置在第一阴极和第二阴极之间的阳极,阳极包括至少两个阳极筒,第一阴极和第二阴极分别包括与至少两个阳极筒相对应的至少两个阴极子。通过提供具有包括至少两个阴极子的第一阴极和第二阴极以及相应地包括至少两个阳极筒的阳极的多离子源结构,以使在阴极和阳极之间电离的离子能够以多束的形式引出,增大束流的引出面积,由此降低了单位面积靶膜上的溅射速率,延长靶组件的使用寿命。

    一种用于小型中子发生器的双层石英玻璃管型高压单元

    公开(公告)号:CN111683449B

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN202010455695.8

    申请日:2020-05-26

    IPC分类号: H05H3/06 H05H6/00

    摘要: 本发明属于中子发生器技术领域,具体涉及一种用于小型中子发生器的双层石英玻璃管型高压单元,包括设置在直管型的冷却液导流管(2)的两端的高压输入模块(1)和靶电极(3),靶电极(3)外部为光滑的外壳体,内部设有靶片(24),冷却液导流管(2)内部设有能够通过冷却液的循环流道,用于为靶片(24)制冷;高压输入模块(1)通过贯穿在冷却液导流管(2)内部的高压连接杆(20)向靶电极(3)提供高压电。高压输入模块(1)简单小巧,可避免高压输入时发生高压打火,能承载130kV高电压;冷却液导流管(2)的电击穿电压达到35kV/mm;靶电极(3)中所有不规则结构和尖端都在靶电极(3)内部,保证了电场分布的均匀性,可有效抑制二次电子。

    一种自屏蔽DD中子发生器
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111712032B

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN202010454689.0

    申请日:2020-05-26

    IPC分类号: H05H3/06

    摘要: 本发明属于中子发生器技术领域,具体涉及一种自屏蔽DD中子发生器,包括由第一屏蔽体(1)和第二屏蔽体(2)合拢组成的密封的立方体型的屏蔽体,第一屏蔽体(1)内部设置第一空腔(3),第二屏蔽体(2)内部设置第二空腔(82),当第一屏蔽体(1)和第二屏蔽体(2)合拢时,第一空腔(3)和第二空腔(82)共同构成设置中子发生器的主体部分的设备舱;中子发生器的主体部分用于通过DD反应产生中子。该中子发生器的中子的产生可以远程控制,结构可以拆分,主要耗材是可维修的靶片、离子源,寿命基本不受限制;占地面积仅2m2,实现了DD中子发生器在普通房间中的使用,无需单独建造中子屏蔽厅。

    一种D+离子源
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111741584A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010455651.5

    申请日:2020-05-26

    IPC分类号: H05H3/06

    摘要: 本发明属于中子发生器技术领域,具体涉及一种D+离子源。设置在中子发生器的真空管上,包括尾端设有引出结构(15)、顶端与氘气钢瓶(6)相连的放电管(3),放电管(3)的尾端设有圆盘形的离子源底盘(18),引出结构(15)位于离子源底盘(18)中心;还包括套装在放电管(3)的外表面的电容耦合环(8)和设置在放电管(3)的顶端的阳极探针(4)。本发明采用射频电源馈入高频功率,只需一台射频电源,无需振荡器;解决了离子源向外发送干扰信号的不利问题;对引出结构进行强制制冷,提高了离子源的使用寿命。