本发明涉及半导体存储装置。至少一个实施例提供易于小型化的半导体存储装置。一种半导体存储装置包括第一导电层、第二导电层、第三导电层、接触插塞、在第二导电层和第三导电层之间延伸的存储器沟槽。存储器沟槽形成在接触插塞周围，并包围接触插塞所设置于的第一区域。第二区域与第一区域分离，并且包括贯穿第一导电层的柱。第二导电层在第一和第二区域之间延伸，并被连接到第一导电层。第三导电层位于第一区域的与第二区域相对的一侧，并被连接到第一导电层。