发明公开
- 专利标题： 一种内嵌含能薄膜的自毁芯片及其制备方法
-
申请号： CN202010656256.3申请日： 2020-07-09
-
公开(公告)号： CN111739850A公开(公告)日： 2020-10-02
- 发明人: 张剑 , 张庆明 , 焦纲领 , 王燕兰 , 张蕾 , 沈永福 , 张方 , 褚恩义 , 陈建华 , 韩瑞山
- 申请人： 中国人民解放军92228部队 , 中国兵器工业第二一三研究所
- 申请人地址： 北京市房山区长阳镇稻田南里7号
- 专利权人： 中国人民解放军92228部队,中国兵器工业第二一三研究所
- 当前专利权人： 中国人民解放军92228部队,中国兵器工业第二一三研究所
- 当前专利权人地址： 北京市房山区长阳镇稻田南里7号
- 代理机构： 北京科石知识产权代理有限公司
- 代理商 徐红岗
- 主分类号： H01L23/34
- IPC分类号： H01L23/34 ; H01L23/00 ; B81C1/00 ; B81B7/02
摘要：
本公开提供了一种内嵌含能薄膜的自毁芯片及其制备方法。该芯片以待毁伤信息芯片为基底层，利用MEMS技术，依次将微加热器层、含能薄膜层集成制造在基底层上，该芯片可显著降低自毁芯片中含能材料装药量，提高使用安全性，同时通过进一步使用耐高温含能材料以及低温封装技术，可确保含能薄膜以及自毁芯片的应用性能在各种恶劣环境下不退化，并增加芯片的散热能力、机械性质与物理性质。
IPC分类:
