提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。利用包括如下工序的方法制造半导体装置。在绝缘层上形成含有金属氧化物的半导体膜的第一工序。在半导体膜上形成导电膜的第二工序。在导电膜上形成第一抗蚀剂掩模并通过对导电膜进行蚀刻形成第一导电层并使不被第一导电层覆盖的半导体膜的上表面露出的第三工序。形成覆盖第一导电层的上表面及侧面并覆盖半导体膜的上表面的一部分的第二抗蚀剂掩模，通过对半导体膜进行蚀刻形成半导体层并使不被半导体层覆盖的绝缘层的上表面露出的第四工序。