公开(公告)号：CN111615744B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201980009057.9

申请日：2019-01-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  羽持贵士 ,  大出贵之 ,  冈崎健一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的显示装置。半导体装置通过如下工序制造：形成含有金属氧化物的半导体层的第一工序；在半导体层上形成导电膜的第二工序；将导电膜以在半导体层上分开的方式进行蚀刻来露出半导体层的一部分的第三工序；以及对导电膜及半导体层的一部分进行第一处理的第四工序。其中，导电膜包含铜、银、金或铝。第一处理是在包括含有氧元素的第一气体及含有氢元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理。

公开(公告)号：CN118265398A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311775614.2

申请日：2023-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  后藤尚人 ,  冈崎健一 ,  大出贵之

IPC: H10K71/00 ,  H10K59/121 ,  H10K59/126 ,  H10K59/131

Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖显示装置的制造方法。另外，提供一种显示装置、显示模块、电子设备。在第2步骤中在第一电极及第二电极上形成第一膜，在第3步骤中在第一膜上形成第二膜，在第4步骤中通过CVD法在第二膜上形成第三膜，在第5步骤中通过蚀刻法从第二电极上去除第三膜的一部分，来形成与第一电极重叠的第一层。并且，在第6步骤中利用第一层通过蚀刻法从第二电极上去除第二膜的一部分及第一膜的一部分，来形成与第一电极重叠的第二层及第一单元。

公开(公告)号：CN111742397B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201980014757.7

申请日：2019-02-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  冈崎健一 ,  大出贵之 ,  佐藤来

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H10K71/00

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。利用包括如下工序的方法制造半导体装置。在绝缘层上形成含有金属氧化物的半导体膜的第一工序。在半导体膜上形成导电膜的第二工序。在导电膜上形成第一抗蚀剂掩模并通过对导电膜进行蚀刻形成第一导电层并使不被第一导电层覆盖的半导体膜的上表面露出的第三工序。形成覆盖第一导电层的上表面及侧面并覆盖半导体膜的上表面的一部分的第二抗蚀剂掩模，通过对半导体膜进行蚀刻形成半导体层并使不被半导体层覆盖的绝缘层的上表面露出的第四工序。

公开(公告)号：CN111742397A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201980014757.7

申请日：2019-02-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  冈崎健一 ,  大出贵之 ,  佐藤来

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。利用包括如下工序的方法制造半导体装置。在绝缘层上形成含有金属氧化物的半导体膜的第一工序。在半导体膜上形成导电膜的第二工序。在导电膜上形成第一抗蚀剂掩模并通过对导电膜进行蚀刻形成第一导电层并使不被第一导电层覆盖的半导体膜的上表面露出的第三工序。形成覆盖第一导电层的上表面及侧面并覆盖半导体膜的上表面的一部分的第二抗蚀剂掩模，通过对半导体膜进行蚀刻形成半导体层并使不被半导体层覆盖的绝缘层的上表面露出的第四工序。

公开(公告)号：CN117858542A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311289649.5

申请日：2023-10-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  大出贵之 ,  后藤尚人 ,  安达广树 ,  井户尻悟 ,  山胁隼人 ,  冈崎健一 ,  川上祥子

IPC: H10K59/12 ,  H10K71/60

Abstract: 提供一种新颖显示装置的制造方法及显示装置。在第1步骤中，在绝缘膜上形成第一电极、第二电极、第一间隙，在第2步骤中，在第二电极上形成第一膜，在第3步骤中，形成与第一电极重叠的第一层，在第4步骤中，通过蚀刻法去除第一膜，来形成与第一电极重叠的第一单元，在第5步骤中，去除第二电极的表面，在第6步骤中，在第一层及第二电极上形成第二膜，在第7步骤中，形成与第二电极重叠的第二层，在第8步骤中，利用第二层通过蚀刻法去除第二膜，来形成与第二电极重叠的第二单元及与第一间隙重叠的第二间隙。

公开(公告)号：CN111615744A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201980009057.9

申请日：2019-01-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  羽持贵士 ,  大出贵之 ,  冈崎健一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的显示装置。半导体装置通过如下工序制造：形成含有金属氧化物的半导体层的第一工序；在半导体层上形成导电膜的第二工序；将导电膜以在半导体层上分开的方式进行蚀刻来露出半导体层的一部分的第三工序；以及对导电膜及半导体层的一部分进行第一处理的第四工序。其中，导电膜包含铜、银、金或铝。第一处理是在包括含有氧元素的第一气体及含有氢元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理。