公开(公告)号：CN118284849A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202280077740.8

申请日：2022-11-16

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  楠纮慈 ,  片山雅博 ,  佐藤来

IPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/13357 ,  G02F1/1343

摘要： 提供一种开口率高的显示装置。使用有机绝缘层(52)填充起因于用来电连接布线(33)与像素电极(41)的接触孔(50)的台阶来消除该台阶，在平坦的像素电极的顶面上形成取向膜(45a)，由此减少液晶层(40)的取向不良。此外，将具有透光性的材料用于在接触孔(50)的底部露出的布线(33)。由此，可以增加液晶器件中的对显示有效的区域。也就是说，可以实现开口率高的显示装置。

公开(公告)号：CN117957598A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202280063044.1

申请日：2022-09-22

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 久保田大介 ,  初见亮 ,  佐藤来 ,  中田昌孝 ,  中泽安孝

IPC分类号： G09F9/30 ,  H10K59/00 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  H05B33/12 ,  H10K50/00 ,  H05B33/22

摘要： 提供一种具有摄像功能的显示装置。降低拍摄时的噪声。显示装置包括第一像素电极、第二像素电极、第一有机层、第二有机层、公共电极、间隔物、保护层及遮光层。第一有机层设置于第一像素电极上。第二有机层设置于第二像素电极上。公共电极具有隔着第一有机层与第一像素电极重叠的部分及隔着第二有机层与第二像素电极重叠的部分。保护层覆盖公共电极。间隔物对可见光具有透光性且具有隔着保护层、公共电极及第一有机层与第一像素电极重叠的部分。遮光层设置于间隔物上且具有与第二像素电极重叠的开口。第一有机层包含光电转换层，第二有机层包含发光层。

公开(公告)号：CN117016046A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202280013859.9

申请日：2022-02-07

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 佐藤来 ,  片山雅博 ,  后藤尚人 ,  中泽安孝 ,  冈崎健一

IPC分类号： H05B33/22

摘要： 提供一种高清晰显示装置。提供一种兼具有高显示品质和高清晰度的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及公共电极的第二显示元件；覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部的第一绝缘层；第一绝缘层上的第二绝缘层；以及第二绝缘层上的第三绝缘层，其中，第一EL层配置在第一像素电极上及第三绝缘层上，并且，第二EL层配置在第二像素电极上及第三绝缘层上。

公开(公告)号：CN116685901A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202180079563.2

申请日：2021-12-01

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 神长正美 ,  井口贵弘 ,  佐藤来

IPC分类号： G02F1/1368

摘要： 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极、第一绝缘层、第二绝缘层及导电层。栅极绝缘层与半导体层的顶面及侧面接触，栅电极隔着栅极绝缘层具有与半导体层重叠的区域。第一绝缘层包含无机材料且与栅极绝缘层的顶面以及栅电极的顶面及侧面接触。栅极绝缘层及第一绝缘层在与半导体层重叠的区域具有第一开口。第二绝缘层包含有机材料且在第一开口的内侧具有第二开口。此外，第二绝缘层与第一绝缘层的顶面及侧面以及栅极绝缘层的侧面接触。导电层通过第二开口与半导体层电连接。

公开(公告)号：CN113383611A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202080012674.7

申请日：2020-02-03

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 初见亮 ,  镰田太介 ,  久保田大介 ,  佐藤来 ,  安达广树 ,  山内谅 ,  渡边一德

IPC分类号： H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  H05B33/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26 ,  H05B33/28 ,  G02B5/20 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  G06F3/042

摘要： 提供一种具有光检测功能的显示装置。该显示装置包括第一衬底、第二衬底、受光元件、发光元件、树脂层及遮光层。受光元件、发光元件、树脂层及遮光层各自位于第一衬底与第二衬底之间。受光元件包括第一衬底上的第一像素电极、第一像素电极上的活性层及活性层上的公共电极。发光元件包括第一衬底上的第二像素电极、第二像素电极上的第一发光层及第一发光层上的公共电极。树脂层及遮光层各自位于公共电极与第二衬底之间。树脂层包括与发光元件重叠的部分。遮光层包括位于公共电极与树脂层之间的部分。树脂层包括与受光元件重叠的开口或被设置为岛状。经过第二衬底的光的至少一部分入射到受光元件，而不经过树脂层。

公开(公告)号：CN111742397B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201980014757.7

申请日：2019-02-18

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 中泽安孝 ,  冈崎健一 ,  大出贵之 ,  佐藤来

IPC分类号： H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H10K71/00

摘要： 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。利用包括如下工序的方法制造半导体装置。在绝缘层上形成含有金属氧化物的半导体膜的第一工序。在半导体膜上形成导电膜的第二工序。在导电膜上形成第一抗蚀剂掩模并通过对导电膜进行蚀刻形成第一导电层并使不被第一导电层覆盖的半导体膜的上表面露出的第三工序。形成覆盖第一导电层的上表面及侧面并覆盖半导体膜的上表面的一部分的第二抗蚀剂掩模，通过对半导体膜进行蚀刻形成半导体层并使不被半导体层覆盖的绝缘层的上表面露出的第四工序。

公开(公告)号：CN117546608A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202280044224.5

申请日：2022-06-14

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  安达广树 ,  佐藤来 ,  久保田大介 ,  林健太郎

IPC分类号： H05B33/12

摘要： 提供一种使用者能够看到背面景色且能够以高灵敏度进行摄像的显示装置。显示装置在对可见光具有透光性的衬底上包括第一发光元件、与第一发光元件相邻的第二发光元件、与第二发光元件相邻的受光元件、在第二发光元件与受光元件之间设置的第一有机层以及在第一发光元件与第二发光元件之间设置的第二有机层。第一发光元件具有依次层叠有第一像素电极、第一发光层及公共电极的结构。第二发光元件具有依次层叠有第二像素电极、第二发光层及公共电极的结构。受光元件具有依次层叠有第三像素电极、光电转换层及公共电极的结构。第一有机层的可见光的波长中的至少一部分的波长的光的透过率比第二有机层的该波长的光的透过率低。

公开(公告)号：CN116918454A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280017839.9

申请日：2022-02-28

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 冈崎健一 ,  中泽安孝 ,  佐藤来

IPC分类号： H05B33/22

摘要： 提供一种高清晰或高分辨率的显示装置。该显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层及第一层。第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层及第一发光层上的公共电极，第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二发光层及第二发光层上的公共电极，第一发光层覆盖第一像素电极的侧面，第二发光层覆盖第二像素电极的侧面，第一层位于第一发光层上，从截面看时，第一层的一个端部与第一发光层的端部对齐或大致对齐，第一层的另一个端部位于第一发光层上，第一绝缘层覆盖第一层的顶面以及第一发光层及第二发光层的各侧面，公共电极位于第一绝缘层上。

公开(公告)号：CN116635760A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180082270.X

申请日：2021-12-14

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 中村太纪 ,  佐藤来 ,  小久保竜 ,  安达广树

IPC分类号： G02B5/20

摘要： 提供一种显示品质高的显示装置的制造方法。提供一种包括第一至第三绝缘体、第一、第二导电体以及第一、第二EL层的显示装置的制造方法。在第一绝缘体上形成第一导电体，在第一绝缘体上及第一导电体上形成第二绝缘体。在第二绝缘体中形成到达第一导电体的第一开口部。在第二绝缘体上及第一开口部的底面上形成牺牲层，在牺牲层上涂敷抗蚀剂。对抗蚀剂进行曝光及显影且在重叠于第一导电体的区域形成到达牺牲层的第二开口部。在第二开口部的底面的区域形成第三开口部，在抗蚀剂上、牺牲层上及第一导电体上形成第一EL层。然后，通过去除抗蚀剂及牺牲层，去除抗蚀剂上及牺牲层上的第一EL层。在第一EL层上及第二绝缘体上形成第二EL层，在第二EL层上依次形成第二导电体及第三绝缘体。

公开(公告)号：CN113994494A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202080045261.9

申请日：2020-06-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  中村太纪 ,  初见亮 ,  佐藤来 ,  江口晋吾 ,  楠纮慈

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  G06F3/0354 ,  G06F3/041 ,  G06F3/042 ,  G06F3/147 ,  G09G3/30 ,  G09G3/3225

摘要： 提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的功能面板。本发明是一种包括基材及一组像素的功能面板，基材覆盖一组像素并具有透光性。一组像素包括一个像素及另一个像素，一个像素包括发光器件及第一微透镜。发光器件向基材发射光，第一微透镜夹在基材和发光之间，并聚集光。另外，第一微透镜具有第一面及第二面，第二面与第一面相比位于发光器件一侧，第二面具有比第一面小的曲率半径。另一个像素包括光电转换器件及第二微透镜。第二微透镜夹在基材和光电转换之间，并聚集从基材一侧入射的外光。另外，第二微透镜具有第三面及第四面，第三面与第四面相比位于光电转换器件一侧，第四面具有比第三面小的曲率半径。