发明公开
- 专利标题: 多层芯片堆叠结构和多层芯片堆叠方法
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申请号: CN202010860570.3申请日: 2020-08-25
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公开(公告)号: CN111816625A公开(公告)日: 2020-10-23
- 发明人: 何正鸿 , 孙杰
- 申请人: 甬矽电子(宁波)股份有限公司
- 申请人地址: 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
- 专利权人: 甬矽电子(宁波)股份有限公司
- 当前专利权人: 甬矽电子(宁波)股份有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
- 代理机构: 北京超凡宏宇专利代理事务所
- 代理商 张洋
- 主分类号: H01L23/31
- IPC分类号: H01L23/31 ; H01L25/16 ; H01L25/18 ; H01L21/56 ; H01L21/60
摘要:
本发明的实施例提供了一种多层芯片堆叠结构和多层芯片堆叠方法,涉及芯片堆叠技术领域。该多层芯片堆叠结构包括基板、第一类芯片、第一塑封体和多个第二类芯片。第一类芯片设于基板上并与基板电连接,第一塑封体封装第一类芯片。第一塑封体上设有多个台阶部,多个第二类芯片包括第一芯片和第二芯片,每个台阶部上至少层叠设置第一芯片和第二芯片,第一芯片设于台阶部上,第二芯片设于第一芯片远离台阶部的一侧;并且每个第二类芯片均与基板电连接。该多层芯片堆叠结构支撑稳定,结构紧凑,体积小,打线容易,连接可靠。
公开/授权文献
- CN111816625B 多层芯片堆叠结构和多层芯片堆叠方法 公开/授权日:2020-12-04
IPC分类: