- 专利标题: 一种湿化学退火法制备全无机CsPbBr3纳米晶的方法及应用
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申请号: CN202010981225.5申请日: 2020-09-17
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公开(公告)号: CN112028117A公开(公告)日: 2020-12-04
- 发明人: 徐旭辉 , 杨泽 , 房昭会 , 余雪 , 杨玺 , 茹毅 , 邱建备 , 杨柳丽 , 刘志超 , 吴涛
- 申请人: 昆明理工大学
- 申请人地址: 云南省昆明市五华区学府路253号
- 专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市五华区学府路253号
- 代理机构: 天津煜博知识产权代理事务所
- 代理商 朱维
- 主分类号: C01G21/16
- IPC分类号: C01G21/16 ; C09K11/66 ; B82Y20/00 ; G01N23/18
摘要:
本发明涉及一种湿化学退火法制备全无机CsPbBr3纳米晶的方法及应用,属于卤化物钙钛矿纳米晶技术领域。本发明通过热注射法制备CsPbBr3纳米晶,在高温、保护气氛下采用湿化学退火法钝化纳米晶表面的缺陷获得高光学稳定性和强光致发光的全无机CsPbBr3纳米晶,将全无机CsPbBr3纳米晶与聚苯乙烯/甲苯混合液进行混合,涂覆在PVC板(100mm×200mm)上,在X射线(管电压40KV,管电流30mA)激发下具有优异的绿色发光,使得在X射线下呈现出清晰的物像;并且经1mGy·s-1剂量的X射线连续60次循环(3600s)照射后,仍可保持长期的光学稳定性,进而保持成像的清晰度。本发明全无机CsPbBr3纳米晶可用于制备X射线传感器或作为闪烁体应用于X射线成像中。
公开/授权文献
- CN112028117B 一种湿化学退火法制备全无机CsPbBr3纳米晶的方法及应用 公开/授权日:2022-01-25
IPC分类: