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公开(公告)号：CN110452696A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910763267.9
申请日：2019-08-19
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C09K11/66
摘要： 本发明公开了一种红色长余辉发光材料及其制备方法，属于稀土发光材料技术领域。本发明的红色长余辉发光材料，化学式为Na2Ca1-xGe6O14:xPr3+，其中0.003≤x≤0.015；本发明将高纯的Na2CO3、CaCO3、GeO2和Pr6O11进行湿磨得到混合粉料；将混合粉料置于温度为1050-1150℃、空气氛围中焙烧Pr63+~掺8h杂，冷Na却2C至a室Ge温6O，1研4长磨余即辉得发红光色材长料余，通辉过发调光整材稀料土。本掺发杂明浓度从而调整其缺陷态结构，实现红色长余辉发光，在室温下撤去激发光源后达到640 s的红色长余辉发光。
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公开(公告)号：CN112591737A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011486809.1
申请日：2020-12-16
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开一种回收废旧锂离子电池负极石墨制备碳纳米角的方法，包括以下步骤：废旧锂离子电池负极石墨的回收：将锂离子电池负极浸泡入水中，浸泡第一预设时间；然后将所述锂离子电池负极的铜箔与石墨分离，并取出所述铜箔得到具有所述石墨的混合物溶液，对所述混合物溶液进行固液分离处理得到石墨体，将所述石墨体进行颗粒细化处理得到回收石墨粉末；块状回收石墨的制备：把所述回收石墨粉末进行成型处理得到块状回收石墨；及碳纳米角的制备：把所述块状回收石墨作为阳极置入电弧炉中，提供一端磨尖的石墨棒作为阴极并与所述块状回收石墨相对设置，对所述电弧炉充入预设气体，再利用所述阳极及所述阴极启动电弧制备碳纳米角。
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公开(公告)号：CN112028117B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010981225.5
申请日：2020-09-17
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种湿化学退火法制备全无机CsPbBr3纳米晶的方法及应用，属于卤化物钙钛矿纳米晶技术领域。本发明通过热注射法制备CsPbBr3纳米晶，在高温、保护气氛下采用湿化学退火法钝化纳米晶表面的缺陷获得高光学稳定性和强光致发光的全无机CsPbBr3纳米晶，将全无机CsPbBr3纳米晶与聚苯乙烯/甲苯混合液进行混合，涂覆在PVC板(100mm×200mm)上，在X射线(管电压40KV,管电流30mA)激发下具有优异的绿色发光，使得在X射线下呈现出清晰的物像；并且经1mGy·s‑1剂量的X射线连续60次循环(3600s)照射后，仍可保持长期的光学稳定性，进而保持成像的清晰度。本发明全无机CsPbBr3纳米晶可用于制备X射线传感器或作为闪烁体应用于X射线成像中。
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公开(公告)号：CN110437828B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201910763272.X
申请日：2019-08-19
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了一种绿色长余辉发光材料及其制备方法，属于稀土发光材料技术领域。本发明的绿色长余辉发光材料，化学式为Na2Ca1‑xGe6O14:xTb3+，其中0.005≤x≤0.035；本发明将高纯的Na2CO3、CaCO3、GeO2和Tb4O7进行湿磨得到混合粉料；将混合粉料置于温度为1050‑1150℃、空气氛围中焙烧6~8h，冷却至室温，研磨即得绿色长余辉发光材料。本发明Tb3+掺杂Na2CaGe6O14长余辉发光材料，通过稀土掺杂调整其缺陷态结构，实现绿色长余辉发光，在室温下撤去激发光源后达到218 s的绿色长余辉发光。
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公开(公告)号：CN109973842B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910227983.5
申请日：2019-03-25
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种长余辉型LED植物灯，属于LED植物发光技术领域。本发明将荧光粉BaMgAl10O17:Eu2+、Sr2SiO4:Eu2+、CaAlSiN:Eu2+、SrAl2O4:Eu2+,Dy3+、CaAl2O4:Eu2+,Dy3+、ZnGa2O4:Cr3+,Bi3+进行干磨混匀处理30~45min得到混合粉体A；将荧光粉Sr3SiO5:Eu2+、ZnGa2O4:Cr3+,Bi3+、Sr2SiO4:Eu2+、SrAl2O4:Eu2+,Dy3+进行干磨混匀处理30~45min得到混合粉体B；采用环氧树脂将混合粉体A封装在紫外LED芯片上或将混合粉体B封装在蓝光LED芯片上，凝固即得长余辉型LED植物灯发光芯片。本发明利用长余辉体系和LED荧光粉体系相结合调配成更接近阳光的连续光谱，作为植物照明体系的植物灯照明发光体，更有利与植物的生长发育，使植物生长的更快更好，同时无毒安全，具备优异的LED寿命，和良好的节能性。
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公开(公告)号：CN112028117A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010981225.5
申请日：2020-09-17
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种湿化学退火法制备全无机CsPbBr3纳米晶的方法及应用，属于卤化物钙钛矿纳米晶技术领域。本发明通过热注射法制备CsPbBr3纳米晶，在高温、保护气氛下采用湿化学退火法钝化纳米晶表面的缺陷获得高光学稳定性和强光致发光的全无机CsPbBr3纳米晶，将全无机CsPbBr3纳米晶与聚苯乙烯/甲苯混合液进行混合，涂覆在PVC板(100mm×200mm)上，在X射线(管电压40KV,管电流30mA)激发下具有优异的绿色发光，使得在X射线下呈现出清晰的物像；并且经1mGy·s-1剂量的X射线连续60次循环(3600s)照射后，仍可保持长期的光学稳定性，进而保持成像的清晰度。本发明全无机CsPbBr3纳米晶可用于制备X射线传感器或作为闪烁体应用于X射线成像中。
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公开(公告)号：CN110437828A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910763272.X
申请日：2019-08-19
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了一种绿色长余辉发光材料及其制备方法，属于稀土发光材料技术领域。本发明的绿色长余辉发光材料，化学式为Na2Ca1-xGe6O14:xTb3+，其中0.005≤x≤0.035；本发明将高纯的Na2CO3、CaCO3、GeO2和Tb4O7进行湿磨得到混合粉料；将混合粉料置于温度为1050-1150℃、空气氛围中焙烧Tb63~+掺8h杂，冷N却a2C至a室Ge温6O，1研4长磨余即辉得发绿光色材长料余，通辉过发稀光土材掺料杂。本调发整明其缺陷态结构，实现绿色长余辉发光，在室温下撤去激发光源后达到218 s的绿色长余辉发光。
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公开(公告)号：CN109973842A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910227983.5
申请日：2019-03-25
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种长余辉型LED植物灯，属于LED植物发光技术领域。本发明将荧光粉BaMgAl10O17:Eu2+、Sr2SiO4:Eu2+、CaAlSiN:Eu2+、SrAl2O4:Eu2+,Dy3+、CaAl2O4:Eu2+,Dy3+、ZnGa2O4:Cr3+,Bi3+进行干磨混匀处理30~45min得到混合粉体A；将荧光粉Sr3SiO5:Eu2+、ZnGa2O4:Cr3+,Bi3+、Sr2SiO4:Eu2+、SrAl2O4:Eu2+,Dy3+进行干磨混匀处理30~45min得到混合粉体B；采用环氧树脂将混合粉体A封装在紫外LED芯片上或将混合粉体B封装在蓝光LED芯片上，凝固即得长余辉型LED植物灯发光芯片。本发明利用长余辉体系和LED荧光粉体系相结合调配成更接近阳光的连续光谱，作为植物照明体系的植物灯照明发光体，更有利与植物的生长发育，使植物生长的更快更好，同时无毒安全，具备优异的LED寿命，和良好的节能性。
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