发明授权
- 专利标题： 一种三维闪存预充方法
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申请号： CN202010975003.2申请日： 2020-09-16
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公开(公告)号： CN112053723B公开(公告)日： 2023-05-05
- 发明人: 靳磊 , 王治煜 , 候伟 , 贾信磊 , 李春龙 , 霍宗亮 , 叶甜春
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 李婷婷
- 主分类号： G11C16/08
- IPC分类号： G11C16/08 ; G11C16/34 ; G11C16/04
摘要：
本申请提供一种三维闪存预充方法，用于对三维闪存结构进行预充，所述三维闪存结构的底部选择栅BSG与共源线CSL相连，连接相同的电压；所述预充方法在对三维闪存进行预充过程中，在目标时间段内为底部选择栅BSG与共源线CSL施加大于目标电压值的电压，从而能够加快预充速度，缩短预充时间，在目标时间段内即可使得沟道预充电势均达到目标值。
公开/授权文献
- CN112053723A 一种三维闪存预充方法 公开/授权日：2020-12-08
