发明公开
CN112086330A 高能量离子源
审中-实审
- 专利标题: 高能量离子源
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申请号: CN202011080535.6申请日: 2020-10-10
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公开(公告)号: CN112086330A公开(公告)日: 2020-12-15
- 发明人: 郭方准 , 石晓倩 , 朱美强
- 申请人: 大连交通大学
- 申请人地址: 辽宁省大连市沙河口区黄河路794号
- 专利权人: 大连交通大学
- 当前专利权人: 大连交通大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省大连市沙河口区黄河路794号
- 代理机构: 大连东方专利代理有限责任公司
- 代理商 徐华燊; 李洪福
- 主分类号: H01J3/04
- IPC分类号: H01J3/04 ; H01J3/18 ; H01J3/08 ; H01J3/10
摘要:
本发明提供一种高能量离子源。本发明涉及超高真空设备开发领域。高能量离子源主要由离子聚焦机构、离子产生与引导机构、电子发射机构、氩气进入机构和角度可调机构组成。在这个核心构造里要产生氩离子,并完成对离子的加速和聚焦。本发明的离子产生与引导机构是由引出上覆盖栅网构成,该引导孔相对于氩离子处于负电压,电压值在数百至数千伏特之间可调。离子引导孔不仅可以加速氩离子,也可以约束离子束流的指向;本发明的离子聚焦机构采用三个互相绝缘的静电透镜,通过调节中间透镜可变电阻来调节离子束,进行进一步的约束;本发明的角度可调机构采用还可保证进气管与进气孔同轴心调形成团簇原子。本发明能够很好地约束离子束流的指向。