控制质子治疗系统的质子束的系统及方法

    公开(公告)号:CN105993060A

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201480051576.9

    申请日:2014-09-19

    Abstract: 一种在质子治疗系统中控制质子束的系统及方法,该系统包括质子束输送系统,质子束输送系统包括:至少一个消色差束线部,其包括将具有第一预定范围的质子束能量的质子束引导至治疗靶区的第一功率设置以及将具有第二预定范围的质子束能量的质子束引导至治疗靶区的第二功率设置;以及功率改变单元,其构造成控制质子束的能级以及至少一个消色差束线部的功率设置,使得功率改变单元根据在第一预定范围的质子束能量中发生的质子束能量的变化来使至少一个消色差束线部的功率设置在第一功率设置与第二功率设置之间改变。

    高能量离子源
    2.
    发明公开
    高能量离子源 审中-实审

    公开(公告)号:CN112086330A

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN202011080535.6

    申请日:2020-10-10

    Abstract: 本发明提供一种高能量离子源。本发明涉及超高真空设备开发领域。高能量离子源主要由离子聚焦机构、离子产生与引导机构、电子发射机构、氩气进入机构和角度可调机构组成。在这个核心构造里要产生氩离子,并完成对离子的加速和聚焦。本发明的离子产生与引导机构是由引出上覆盖栅网构成,该引导孔相对于氩离子处于负电压,电压值在数百至数千伏特之间可调。离子引导孔不仅可以加速氩离子,也可以约束离子束流的指向;本发明的离子聚焦机构采用三个互相绝缘的静电透镜,通过调节中间透镜可变电阻来调节离子束,进行进一步的约束;本发明的角度可调机构采用还可保证进气管与进气孔同轴心调形成团簇原子。本发明能够很好地约束离子束流的指向。

    控制质子治疗系统的质子束的系统及方法

    公开(公告)号:CN105993060B

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201480051576.9

    申请日:2014-09-19

    Abstract: 一种在质子治疗系统中控制质子束的系统及方法,该系统包括质子束输送系统,质子束输送系统包括:至少一个消色差束线部,其包括将具有第一预定范围的质子束能量的质子束引导至治疗靶区的第一功率设置以及将具有第二预定范围的质子束能量的质子束引导至治疗靶区的第二功率设置;以及功率改变单元,其构造成控制质子束的能级以及至少一个消色差束线部的功率设置,使得功率改变单元根据在第一预定范围的质子束能量中发生的质子束能量的变化来使至少一个消色差束线部的功率设置在第一功率设置与第二功率设置之间改变。

    电极组件、电子枪及电子枪设备
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN120072596A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510543819.0

    申请日:2025-04-28

    Applicant: 深圳大学

    Inventor: 李波 何文龙

    Abstract: 本发明公开了一种电极组件、电子枪及电子枪设备,涉及微波毫米波技术领域,电子枪包括用于接入第一加速电压信号的阳极,电极组件设于阳极内,电极组件包括阴极、第一控制电极和第二控制电极;阴极具有用于发射电子束的发射面;阴极设于第一控制电极内;第二控制电极设于第一控制电极内,第二控制电极的第二边缘朝向第一控制电极的第一边缘设置并与第一边缘之间形成供电子束穿设的电子穿透缝隙,电子穿透缝隙朝向发射面并与阳极连通;第一控制电极和第二控制电极用于接入小于第一加速电压信号的第二加速电压信号;本发明可以解决电子枪在高频率、高功率及短脉冲操作中需要复杂昂贵的高功率脉冲调制电路以及高压快速开关噪声影响的问题。

    一种多电子枪、多电子发射装置及增材制造装备

    公开(公告)号:CN120048705A

    公开(公告)日:2025-05-27

    申请号:CN202510201741.4

    申请日:2025-02-24

    Abstract: 本发明属于增材制造技术领域,公开了一种多电子枪、多电子发射装置及增材制造装备。此多电子枪包括依次呈同轴对中自上而下间隔布设的阴极组件和阳极组件,阴极组件包括第一阴极和围绕第一阴极设置的若干第二阴极,第一阴极能够发射第一电子,若干第二阴极能够发射若干第二电子;阳极组件包括阳极板、多栅极结构和出口,阳极板用于吸引第一电子和若干第二电子,多栅极结构包括第一栅极和第二栅极,第一栅极用于调控第一电子形成第一电子束,第二栅极用于调控若干第二电子以形成若干第二电子束,第一电子束和若干第二电子束从出口射出以形成总电子束。第一电子束和若干第二电子束能量可调制,使得熔池的温度更加稳定。

    一种基于微波增强调控的热发射阴极

    公开(公告)号:CN119811957A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202510015857.9

    申请日:2025-01-06

    Abstract: 一种基于微波增强调控的热发射阴极,属于空间电推进领域及电真空器件领域,本发明为解决常规热发射阴极电子发射电流调控能力差、对等离子体环境干扰大的问题。本发明包括热电子发射单元、微波馈入接头和谐振腔室,热电子发射单元同轴设置于谐振腔室中;微波馈入接头从侧面垂直腔体插入谐振腔室中并与热电子发射单元的波导导通连接;热电子发射单元用于在直流电场下发射热电子;微波馈入接头用于将微波馈入谐振腔室内,微波在谐振腔室的开路端和短路端反复反射,在电子发射单元的波导表面形成驻波,并在电子发射单元的发射体上形成强驻波电场,进而实现增大电子发射电流的调控。

    高能量离子源
    9.
    实用新型

    公开(公告)号:CN212365918U

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN202022243115.7

    申请日:2020-10-10

    Abstract: 本实用新型提供一种高能量离子源。高能量离子源主要由离子聚焦机构、离子产生与引导机构、电子发射机构、氩气进入机构和角度可调机构组成。在这个核心构造里要产生氩离子,并完成对离子的加速和聚焦。本实用新型的离子产生与引导机构是由引出上覆盖栅网构成,该引导孔相对于氩离子处于负电压,电压值在数百至数千伏特之间可调。离子引导孔不仅可以加速氩离子,也可以约束离子束流的指向;本实用新型的离子聚焦机构采用三个互相绝缘的静电透镜,通过调节中间透镜可变电阻来调节离子束,进行进一步的约束;本实用新型的角度可调机构采用还可保证进气管与进气孔同轴心调形成团簇原子。本实用新型能够很好地约束离子束流的指向。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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