本发明公开了一种MOCVD上盖维护后快速恢复的方法，方案一中利用烘箱对上盖进行烘烤，该方案水氧的去除效率高，时间短，但由于烘箱属于外部设备，在操作时容易引入其他杂质；方案二中利用外接循环水管路高温水循环，去除水氧的工作效率相比较方案一来说较低，但由于高温水在上盖、下盖内循环流动，反应室内的水氧去除较为彻底；方案三将方案一、方案二结合，不仅有效提高了反应室内的水氧去除效率，也能够保证反应室内的水氧被有效彻底的清除；本技术方案大大加速了在维护过程中残余的水氧的去除，同时加速了反应室腔体生长环境的恢复，提高了设备利用率，间接提高设备产量，具有较好的实用性。