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公开(公告)号：CN118825775A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310405065.3
申请日：2023-04-17
申请人： 山东华光光电子股份有限公司 , 山东芯光光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种高斯渐变波导结构的AlGaInP半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。激光器由下至上依次包括衬底、缓冲层、(Alx1Ga1‑x1)y1In1‑y1P下限制层、(Alx2Ga1‑x2)y2In1‑y2P下波导、量子阱Ⅰ、垒层Ⅰ、量子阱Ⅱ、垒层Ⅱ、量子阱Ⅲ、(Alx8Ga1‑x8)y5In1‑y5P上波导层、(Alx9Ga1‑x9)y6In1‑y6P上限制层Ⅰ、腐蚀终止层、上限制层Ⅱ、(Al0.5Ga0.5)In0.5P上过渡层、Ga0.5In0.5P上过渡层和帽层。本发明提供采用高斯渐变波导层，降低阈值电流，提高输出功率及亮度；采用非对称结构设计，压缩光场向N侧偏移，增大高阶模激射阈值，提高单模输出功率；采用窄波导结构设计，光场向限制层中扩展，压缩快轴发散角，提高光斑质量。
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公开(公告)号：CN114389151B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202011132600.5
申请日：2020-10-21
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种具有超晶格电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。该激光器由下至上依次包括衬底、缓冲层、下过渡层、Al0.5In0.5P下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、超晶格结构‑第一上限制层、腐蚀终止层、Al0.5In0.5P第二上限制层、上过渡层和帽层。本发明激光器能够有效的抑制电子溢出，缓解有源区应力，提高限制层材料生长质量；同时具有较高光限制因子，提高光增益，达到了降低阈值电流，提高斜率效率的目的，从而使小功率AlGaInP红光激光器具有较低的工作电流，减少了热量的产生。
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公开(公告)号：CN114389151A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011132600.5
申请日：2020-10-21
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种具有超晶格电子阻挡层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法。该激光器由下至上依次包括衬底、缓冲层、下过渡层、Al0.5In0.5P下限制层、下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、超晶格结构‑第一上限制层、腐蚀终止层、Al0.5In0.5P第二上限制层、上过渡层和帽层。本发明激光器能够有效的抑制电子溢出，缓解有源区应力，提高限制层材料生长质量；同时具有较高光限制因子，提高光增益，达到了降低阈值电流，提高斜率效率的目的，从而使小功率AlGaInP红光激光器具有较低的工作电流，减少了热量的产生。
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公开(公告)号：CN112838475B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201911163712.4
申请日：2019-11-25
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/20
摘要： 本发明实施例公开了一种基于张应变扩散阻挡层的激光器件及其制备方法，所述器件包括由下至上依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、Gax1In1‑x1P下过渡层、Al1‑x2Inx2P下限制层、(Al1‑x3Gax3)y1In1‑y1P下波导层、Ga1‑x4Inx4P第一量子阱、(Al1‑x5Gax5)y2In1‑y2P垒层、Ga1‑x6Inx6P第二量子阱、(Al1‑x7Gax7)y3In1‑y3P上波导层、(Al1‑x8Gax8)y4In1‑y4P扩散阻挡层、Al1‑x9Inx9P第一上限制层、Ga1‑x10Inx10P腐蚀终止层、Al1‑x11Inx11P第二上限制层、Ga1‑x12Inx12P上过渡层和GaAs帽层。本发明采用张应变扩散阻挡层，减少了P限制层掺杂剂向有源区的扩散，降低了内损耗；带隙增加，降低了N限制层电子扩散；提高了光限制因子。与现有生长方法相比，此方法可提高光电转效率，提高半导体激光器的高温高可靠性，有利于实现小功率红光激光器的高温高可靠性应用。
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公开(公告)号：CN117937238A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211266767.X
申请日：2022-10-17
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种复合波导的640nm半导体激光器件及其制备方法，本发明通过在波导层与限制层中间复合高Al组分AlGaInP、低Al组分AlGaInP，利用高Al组分AlGaInP提高载流子限制能力，抑制载流子溢出；利用低Al组分AlGaInP，实现光陷阱设计，提高有源区光场集中度，降低光场向限制层的扩展，减少吸收损耗，提高光电转换效率；本发明利用N、P波导层非对称设计，压缩光场向N侧偏移，减少吸收损耗；本发明减薄P侧设计，提高散热能力，减少废热累积对器件性能的影响。
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公开(公告)号：CN117410830A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210805629.8
申请日：2022-07-08
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种具有高脉冲响应速度的780nm半导体激光器及其制备方法，包括依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、Gax1In1‑x1P下过渡层、(Al1‑x2Gax2)y1In1‑y1P下限制层、(Al1‑x3Gax3)y2In1‑y2P下渐变层、Gax4In1‑x4P下波导层、Gax5In1‑x5Asy3P1‑y3量子阱、Gax6In1‑x6P上波导层、(Al1‑x7Gax7)y4In1‑y4P上渐变层、(Al1‑x8Gax8)y5In1‑y5P上限制层、Ga0.48In0.52P上过渡层、GaAs帽层。采用无铝有源区以及压应变量子阱、非对称结构及渐变层的设计，提高激光器脉冲响应速度。
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公开(公告)号：CN112111727A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910542292.4
申请日：2019-06-21
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种MOCVD上盖维护后快速恢复的方法，方案一中利用烘箱对上盖进行烘烤，该方案水氧的去除效率高，时间短，但由于烘箱属于外部设备，在操作时容易引入其他杂质；方案二中利用外接循环水管路高温水循环，去除水氧的工作效率相比较方案一来说较低，但由于高温水在上盖、下盖内循环流动，反应室内的水氧去除较为彻底；方案三将方案一、方案二结合，不仅有效提高了反应室内的水氧去除效率，也能够保证反应室内的水氧被有效彻底的清除；本技术方案大大加速了在维护过程中残余的水氧的去除，同时加速了反应室腔体生长环境的恢复，提高了设备利用率，间接提高设备产量，具有较好的实用性。
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公开(公告)号：CN117748296A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211119455.6
申请日：2022-09-13
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种低折射率势垒层的窄波导650nm半导体激光器件及其制备方法，本申请设计的半导体激光器结构通过在Ga1‑x5Inx5P第二量子阱与(Alx7Ga1‑x7)y5In1‑y5P上波导层之间设置低折射率的(Alx6Ga1‑x6)y4In1‑y4P上垒层，采用张应变补偿，降低势垒的折射率，促进光场扩展，减小远场光束发散角；同时，(Alx7Ga1‑x7)y5In1‑y5P上波导层和(Al1‑x1Gax1)y1In1‑y1P下波导层采用窄波导结构，降低光场限制能力，拓展垂直方向光场，降低远场发散角。
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公开(公告)号：CN115249947A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110450072.6
申请日：2021-04-25
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种InGaAs高应变变温量子阱大功率激光器外延片及其制备方法。本发明激光器外延片,由下至上依次包括：衬底、缓冲层、下限制层、波导层1、Iny1Ga1‑y1As过渡层、GaAs过渡层1、Iny2Ga1‑y2As过渡层、GaAs过渡层2、Iny3Ga1‑y3As量子阱、GaAs过渡层3、Iny4Ga1‑y4As过渡层、GaAs过渡层4、Iny5Ga1‑y5As过渡层、波导层2、上限制层、表层。本发明激光器外延片结构以及生长方法能够为量子阱生长提供一个良好的界面，降低了量子阱材料中杂质含量，形成了稳定的二维生长，同时充分释放了量子阱应力，实现高质量InGaAs高应变量子阱外延材料的生长，进而实现了激光器的高功率，高效率，高可靠性输出。
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公开(公告)号：CN114566868A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210127574.X
申请日：2022-02-11
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明公开一种具有GaN电流通道的GaAs基激光器外延片及其制备方法。所述GaN电流通道埋设在该外延片中的Alx3Ga1‑x3As上波导层中。通过在上波导层中埋入GaN电流通道，将电流限制在GaN电流通道中实现电流约束，因为GaN材料禁带宽度大，对于长波长的光吸收很低，不会影响长波长激光器的激射，有效克服了GaN激光器存在长时间工作会导致功率衰减严重的问题。另外，由于GaN材料的偏振系数与AlGaAs材料不同，在上波导层中埋入GaN电流通道后，能够在GaN/AlGaAs界面处形成一层正的极化电荷吸引自由电子形成补偿，与激光器的内建电场形成抵消，有利于空穴与电子在量子阱中的复合，提升激光器效率。
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