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公开(公告)号：CN117039621A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311030377.7
申请日：2023-08-16
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种双阱窄垒的640nm半导体激光器件及其制备方法，属于光电子技术领域。由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、下限制层、下波导层一、下波导层二、量子阱一、垒层、量子阱二、上波导层一、上波导层二、上限制层、(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P过渡层、Ga0.5In0.5P过渡层和GaAs帽层；垒层的厚度小于3.5nm。本发明通过通过双阱压应变结构设计，提高导带带隙差，抑制载流子溢出，通过窄垒结构设计，提高脉冲工作响应速度，通过降低N侧掺杂，减少吸收损耗，提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN117748296A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211119455.6
申请日：2022-09-13
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种低折射率势垒层的窄波导650nm半导体激光器件及其制备方法，本申请设计的半导体激光器结构通过在Ga1‑x5Inx5P第二量子阱与(Alx7Ga1‑x7)y5In1‑y5P上波导层之间设置低折射率的(Alx6Ga1‑x6)y4In1‑y4P上垒层，采用张应变补偿，降低势垒的折射率，促进光场扩展，减小远场光束发散角；同时，(Alx7Ga1‑x7)y5In1‑y5P上波导层和(Al1‑x1Gax1)y1In1‑y1P下波导层采用窄波导结构，降低光场限制能力，拓展垂直方向光场，降低远场发散角。
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公开(公告)号：CN114256742B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202010995875.5
申请日：2020-09-21
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有超晶格窄波导大功率980nmLD外延片结构及其制备方法，属于光电子领域，本发明的AlGaAs/GaAs超晶格组具有低的限制因子，可以大大降低波导层的生长厚度，不仅可以满足大功率980nmLD对COD参数的要求，也克服了传统宽波导层结构带来的多阶膜激射、成本高、生长困难质量差等缺点；本发明在AlGaAs/GaAs超晶格组波导层结构中结合非对称结构将光场压向N型区域，降低了载流子的光学吸收，提升了输出功率、降低了热量的产生，使该结构的激光器可靠性的到改善。AlGaAs/GaAs超晶格波导层在光学限制上可以起到与DBR相当的作用，加强了波导层的光学限制能力将光场集中在有源区中。
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公开(公告)号：CN114256742A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010995875.5
申请日：2020-09-21
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有超晶格窄波导大功率980nmLD外延片结构及其制备方法，属于光电子领域，本发明的AlGaAs/GaAs超晶格组具有低的限制因子，可以大大降低波导层的生长厚度，不仅可以满足大功率980nmLD对COD参数的要求，也克服了传统宽波导层结构带来的多阶膜激射、成本高、生长困难质量差等缺点；本发明在AlGaAs/GaAs超晶格组波导层结构中结合非对称结构将光场压向N型区域，降低了载流子的光学吸收，提升了输出功率、降低了热量的产生，使该结构的激光器可靠性的到改善。AlGaAs/GaAs超晶格波导层在光学限制上可以起到与DBR相当的作用，加强了波导层的光学限制能力将光场集中在有源区中。
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公开(公告)号：CN112111727A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910542292.4
申请日：2019-06-21
Applicant: 山东华光光电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MOCVD上盖维护后快速恢复的方法，方案一中利用烘箱对上盖进行烘烤，该方案水氧的去除效率高，时间短，但由于烘箱属于外部设备，在操作时容易引入其他杂质；方案二中利用外接循环水管路高温水循环，去除水氧的工作效率相比较方案一来说较低，但由于高温水在上盖、下盖内循环流动，反应室内的水氧去除较为彻底；方案三将方案一、方案二结合，不仅有效提高了反应室内的水氧去除效率，也能够保证反应室内的水氧被有效彻底的清除；本技术方案大大加速了在维护过程中残余的水氧的去除，同时加速了反应室腔体生长环境的恢复，提高了设备利用率，间接提高设备产量，具有较好的实用性。
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