本发明提供了一种半导体结构及其制备方法中，衬底中形成有沿第一预定方向延伸的有源区，所述有源区从所述衬底的表面延伸至所述衬底的第一设定深度位置；多条字线结构位于所述衬底中，且沿着第二预定方向延伸以穿过相应的有源区，所述字线结构从所述衬底的表面延伸至所述衬底的第二设定深度位置，所述第二设定深度位置低于所述第一设定深度位置；多个辅助掺杂区位于所述衬底中并围绕对应的字线结构，每个所述辅助掺杂区均位于所述第一设定深度位置及所述第二设定深度位置之间。如此，即能够利用所述辅助掺杂区改善字线结构和有源区之间的漏电流现象。