发明公开
CN112349653A 半导体结构及其形成方法
审中-实审
- 专利标题： 半导体结构及其形成方法
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申请号： CN201910733555.X申请日： 2019-08-09
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公开(公告)号： CN112349653A公开(公告)日： 2021-02-09
- 发明人: 宋佳 , 郑二虎 , 张海洋
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号;
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号;
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 吴敏
- 主分类号： H01L21/8234
- IPC分类号： H01L21/8234 ; H01L27/088 ; H01L21/306 ; H01L21/3065 ; H01L21/308
摘要：
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成初始鳍部层；在所述初始鳍部层上形成多个分立排布的硬掩膜结构；在所述硬掩膜结构侧壁上形成第一氧化层；采用等离子体注入工艺对所述第一氧化层进行氧离子注入；刻蚀所述初始鳍部层，形成多个凸出于所述基底的鳍部。本发明有助于增加所述鳍部沿横向方向的厚度，其中，横向方向垂直于所述鳍部的延伸方向，且横向方向平行于所述基底顶部表面。
IPC分类:
