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公开(公告)号：CN113539948A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010312351.1
申请日：2020-04-20
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一互连线、覆盖第一互连线的介质叠层以及覆盖介质叠层的第二介质层；形成位于第一区域的第一互连沟槽和位于第二区域的第二互连沟槽；形成填充第一互连沟槽的第一硬掩膜层、填充第二互连沟槽的第二硬掩膜层，第二硬掩膜层的耐刻蚀度大于第一硬掩膜层的耐刻蚀度；形成贯穿第一硬掩膜层、第二介质层和介质叠层的第一通孔，以及贯穿第二硬掩膜层和第二介质层的第二通孔；形成位于第一通孔中的超级通孔互连结构、位于第二通孔中的单层通孔互连结构以及位于第一互连沟槽和第二互连沟槽中的第三互连线。本发明有利于提高半导体结构的互连性能。
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公开(公告)号：CN113496895A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202010252051.9
申请日：2020-04-01
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/3065
摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层的表面形成芯膜图案，所述芯膜图案暴露出部分所述待刻蚀层表面；在所述待刻蚀层的表面和所述芯膜图案的表面形成侧墙材料层；采用若干次改性刻蚀处理去除部分所述侧墙材料层，直至暴露出所述芯膜图案顶部表面及所述待刻蚀层表面，以在所述芯膜图案侧壁表面形成侧墙，所述改性刻蚀处理包括：对所述侧墙材料层进行改性处理，使在所述待刻蚀层表面以及所述芯膜图案顶部表面的侧墙材料层表面转变为待去除层；采用刻蚀工艺去除所述待去除层。从而，通过所述形成方法，能够改善半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN112349653A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201910733555.X
申请日：2019-08-09
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/308
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成初始鳍部层；在所述初始鳍部层上形成多个分立排布的硬掩膜结构；在所述硬掩膜结构侧壁上形成第一氧化层；采用等离子体注入工艺对所述第一氧化层进行氧离子注入；刻蚀所述初始鳍部层，形成多个凸出于所述基底的鳍部。本发明有助于增加所述鳍部沿横向方向的厚度，其中，横向方向垂直于所述鳍部的延伸方向，且横向方向平行于所述基底顶部表面。
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公开(公告)号：CN114121798A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010890230.5
申请日：2020-08-29
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的伪栅极、位于所述伪栅极两侧的侧墙；所述基底包括隔离区，所述隔离区在其延伸方向上与多个伪栅极相交；去除所述隔离区内的伪栅极，暴露所述伪栅极两侧的侧墙；沿所述侧墙背离所述伪栅极方向，减薄所述隔离区内暴露的侧墙，形成横切隔离沟槽；形成填充所述横切隔离沟槽的横切隔离结构。所述方法提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN114256204A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010997699.9
申请日：2020-09-21
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/266
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括标记区和器件区；对部分所述标记区的所述衬底进行离子注入，在所述标记区内形成零层对准标记，所述零层对准标记的顶部表面与所述器件区的衬底的顶部表面齐平。本发明实施例提供的半导体结构的形成方法，可以形成顶部表面与衬底的顶部表面齐平的零层对准标记，为后续半导体器件的形成工艺提供平坦的工艺平台，有利于提高形成的半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN113539829A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010313555.7
申请日：2020-04-20
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成伪栅结构；在所述伪栅结构的侧壁形成侧墙层；在所述基底上形成覆盖所述侧墙层侧壁的层间介质层；去除部分高度的所述伪栅结构和侧墙层，使所述层间介质层与剩余的所述伪栅结构和侧墙层围成凹槽；在所述凹槽的侧壁形成覆盖所述侧墙层顶面的保护层；去除剩余的所述伪栅结构，使所述保护层、侧墙层与所述基底围成栅极开口；在所述栅极开口中形成栅极结构。本发明实施例有利于提升半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN112447510A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910816140.9
申请日：2019-08-30
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 一种半导体结构及其形成方法、晶体管，形成方法包括：提供基底，包括初始衬底、位于初始衬底上的顶掩膜材料层以及位于顶掩膜材料层上的掩膜侧墙；以掩膜侧墙为掩膜刻蚀顶掩膜材料层形成顶掩膜层；采用氢离子对顶掩膜层之间的区域进行第一吸附处理；在第一吸附处理后，以顶掩膜层为掩膜刻蚀初始衬底形成衬底和位于衬底上的目标图形。本发明实施例刻蚀顶掩膜材料层时通常采用碳氟气体和碳氢氟气体中的一种或两种，刻蚀过程中会产生含氟聚合物杂质，采用氢离子对顶掩膜层之间的区域进行第一吸附处理，使得聚合物杂质中的氟离子与氢离子结合形成易挥发的氟化氢等副产物，降低剩余的聚合物杂质对刻蚀工艺的影响，提高目标图形的形成质量。
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公开(公告)号：CN112447510B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201910816140.9
申请日：2019-08-30
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： 一种半导体结构及其形成方法、晶体管，形成方法包括：提供基底，包括初始衬底、位于初始衬底上的顶掩膜材料层以及位于顶掩膜材料层上的掩膜侧墙；以掩膜侧墙为掩膜刻蚀顶掩膜材料层形成顶掩膜层；采用氢离子对顶掩膜层之间的区域进行第一吸附处理；在第一吸附处理后，以顶掩膜层为掩膜刻蚀初始衬底形成衬底和位于衬底上的目标图形。本发明实施例刻蚀顶掩膜材料层时通常采用碳氟气体和碳氢氟气体中的一种或两种，刻蚀过程中会产生含氟聚合物杂质，采用氢离子对顶掩膜层之间的区域进行第一吸附处理，使得聚合物杂质中的氟离子与氢离子结合形成易挥发的氟化氢等副产物，降低剩余的聚合物杂质对刻蚀工艺的影响，提高目标图形的形成质量。
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公开(公告)号：CN113539948B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202010312351.1
申请日：2020-04-20
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一互连线、覆盖第一互连线的介质叠层以及覆盖介质叠层的第二介质层；形成位于第一区域的第一互连沟槽和位于第二区域的第二互连沟槽；形成填充第一互连沟槽的第一硬掩膜层、填充第二互连沟槽的第二硬掩膜层，第二硬掩膜层的耐刻蚀度大于第一硬掩膜层的耐刻蚀度；形成贯穿第一硬掩膜层、第二介质层和介质叠层的第一通孔，以及贯穿第二硬掩膜层和第二介质层的第二通孔；形成位于第一通孔中的超级通孔互连结构、位于第二通孔中的单层通孔互连结构以及位于第一互连沟槽和第二互连沟槽中的第三互连线。本发明有利于提高半导体结构的互连性能。
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公开(公告)号：CN115911038A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202110976034.4
申请日：2021-08-24
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/8234
摘要： 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底和鳍部材料层；刻蚀部分厚度鳍部材料层，形成初始鳍部，且刻蚀时具有第一刻蚀速率比；刻蚀初始鳍部露出的剩余鳍部材料层，形成凸立于衬底上的鳍部，鳍部由下而上包括底部鳍部、第一部分鳍部和第二部分鳍部，第二部分鳍部和第一部分鳍部构成有效鳍部，在刻蚀初始鳍部露出的部分厚度鳍部材料层时具有第二刻蚀速率比，第二刻蚀速率比小于第一刻蚀速率比，用于使得所述第一部分鳍部的底部线宽小于所述第一部分鳍部的顶部线宽；形成隔离层，覆盖底部鳍部侧壁并露出有效鳍部。本发明减小漏电流且减小对开启电流的影响，从而提高晶体管的开关电流比。
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