Invention Grant
- Patent Title: 一种实现突触具备兴奋和抑制功能的方法
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Application No.: CN202011228618.5Application Date: 2020-11-06
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Publication No.: CN112381217BPublication Date: 2022-05-20
- Inventor: 黄如 , 罗金 , 刘天翊 , 黄芊芊
- Applicant: 北京大学
- Applicant Address: 北京市海淀区颐和园路5号
- Assignee: 北京大学
- Current Assignee: 北京大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区颐和园路5号
- Agency: 北京万象新悦知识产权代理有限公司
- Agent 贾晓玲
- Main IPC: G06N3/063
- IPC: G06N3/063
Abstract:
本发明提出一种实现突触具备兴奋和抑制功能的方法,属于神经形态计算中突触硬件技术领域。该方法采用铁电晶体管FeFET和PMOS构成突触电路;FeFET实现突触的可塑性和记忆特性,FeFET的栅端作为编程(或擦除)端口,源端偏置为抑制电压,漏端连接于PMOS的漏端,作为突触电压输出端;PMOS的源端作为前级神经元的脉冲输入端,栅端偏置在固定电源电压;当前级神经元传递电压输出时,PMOS和FeFET沟道电阻分压产生突触的兴奋型或抑制型的电压输出。本发明与基于传统MOSFET的实现方式相比,可以显著降低硬件开销,具有较强的驱动能力,有利于大规模的高度互联的神经网络的硬件实现。
Public/Granted literature
- CN112381217A 一种实现突触具备兴奋和抑制功能的方法 Public/Granted day:2021-02-19
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