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公开(公告)号：CN112381217B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011228618.5
申请日：2020-11-06
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明提出一种实现突触具备兴奋和抑制功能的方法，属于神经形态计算中突触硬件技术领域。该方法采用铁电晶体管FeFET和PMOS构成突触电路；FeFET实现突触的可塑性和记忆特性，FeFET的栅端作为编程(或擦除)端口，源端偏置为抑制电压，漏端连接于PMOS的漏端，作为突触电压输出端；PMOS的源端作为前级神经元的脉冲输入端，栅端偏置在固定电源电压；当前级神经元传递电压输出时，PMOS和FeFET沟道电阻分压产生突触的兴奋型或抑制型的电压输出。本发明与基于传统MOSFET的实现方式相比，可以显著降低硬件开销，具有较强的驱动能力，有利于大规模的高度互联的神经网络的硬件实现。
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公开(公告)号：CN112381217A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011228618.5
申请日：2020-11-06
Applicant: 北京大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明提出一种实现突触具备兴奋和抑制功能的方法，属于神经形态计算中突触硬件技术领域。该方法采用铁电晶体管FeFET和PMOS构成突触电路；FeFET实现突触的可塑性和记忆特性，FeFET的栅端作为编程(或擦除)端口，源端偏置为抑制电压，漏端连接于PMOS的漏端，作为突触电压输出端；PMOS的源端作为前级神经元的脉冲输入端，栅端偏置在固定电源电压；当前级神经元传递电压输出时，PMOS和FeFET沟道电阻分压产生突触的兴奋型或抑制型的电压输出。本发明与基于传统MOSFET的实现方式相比，可以显著降低硬件开销，具有较强的驱动能力，有利于大规模的高度互联的神经网络的硬件实现。
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公开(公告)号：CN112434802B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011227945.9
申请日：2020-11-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种实现基于铁电晶体管的自适应随机脉冲神经元的方法，属于神经形态计算中脉冲神经元技术领域。该方法包括铁电晶体管FeFET、N型MOSFET以及通过增强铁电晶体管的铁电材料的极化退化特性形成的L‑FeFET；其中FeFET和N型MOSFET串联结构自适应调制从突触传递过来的电压脉冲信号；L‑FeFET的栅端连接于FeFET的源端，接收调制后的脉冲信号，L‑FeFET模拟生物神经元的积累、泄露、以及随机脉冲发放特性；综上该电路能实现神经元自适应随机脉冲发放的高级功能。本发明与基于传统MOSFET的实现方式相比，可以显著降低硬件开销，有利于大规模的高度互联的脉冲神经网络的硬件实现。
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公开(公告)号：CN112434802A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011227945.9
申请日：2020-11-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种实现基于铁电晶体管的自适应随机脉冲神经元的方法，属于神经形态计算中脉冲神经元技术领域。该方法包括铁电晶体管FeFET、N型MOSFET以及通过增强铁电晶体管的铁电材料的极化退化特性形成的L‑FeFET；其中FeFET和N型MOSFET串联结构自适应调制从突触传递过来的电压脉冲信号；L‑FeFET的栅端连接于FeFET的源端，接收调制后的脉冲信号，L‑FeFET模拟生物神经元的积累、泄露、以及随机脉冲发放特性；综上该电路能实现神经元自适应随机脉冲发放的高级功能。本发明与基于传统MOSFET的实现方式相比，可以显著降低硬件开销，有利于大规模的高度互联的脉冲神经网络的硬件实现。
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