Invention Grant
- Patent Title: 封装结构及其制备方法
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Application No.: CN201910784830.0Application Date: 2019-08-23
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Publication No.: CN112420522BPublication Date: 2024-03-15
- Inventor: 陈富扬 , 简俊贤 , 吴政惠 , 林纬迪
- Applicant: 欣兴电子股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾桃园市桃园区龟山工业区兴邦路38号
- Assignee: 欣兴电子股份有限公司
- Current Assignee: 欣兴电子股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾桃园市桃园区龟山工业区兴邦路38号
- Agency: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司
- Agent 寿宁; 张琳
- Main IPC: H01L21/48
- IPC: H01L21/48 ; H01L23/498 ; H05K3/46
Abstract:
本发明公开了一种封装结构的制备方法,该方法包含:提供附加电路板,包含支持层、第一剥离层以及第一金属层;在第一金属层上形成第一介电层,该第一介电层具有多个孔洞,各孔洞具有端部且实质上在同一平面上彼此齐平;形成多个导电凸块且填满各孔洞,各导电凸块具有相对的第一端及第二端;形成线路层结构,包含至少一个线路层及至少一个第二介电层,线路层连接于第二端上,第二介电层位于线路层上;移除附加电路板;以及移除部分第一介电层以暴露出这些导电凸块。另公开了一种以前述制备方法所获得的封装结构,以获得高度共平面性的导电凸块。
Public/Granted literature
- CN112420522A 封装结构及其制备方法 Public/Granted day:2021-02-26
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