- 专利标题: 一种从日盲紫外到近红外的宽波段探测器的制备方法
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申请号: CN202011412393.9申请日: 2020-12-03
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公开(公告)号: CN112420876B公开(公告)日: 2022-04-08
- 发明人: 矫淑杰 , 聂伊尹 , 卢洪亮 , 张峻华 , 王东博 , 王金忠
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨龙科专利代理有限公司
- 代理商 高媛
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; H01L31/032 ; H01L31/109
摘要:
一种从日盲紫外到近红外的宽波段探测器的制备方法,属于光电探测技术领域。本发明的目的是为了解决现有宽光谱探测器存在不同材料之间晶格失配大、质量低、响应速度慢等问题,所述方法为:在蓝宝石衬底上沉积Ga2O3薄膜,薄膜厚度不小于300nm,通过化学气相沉积法在蓝宝石基底上制备厚度为3nm‑6nm的二维拓扑绝缘体材料,将所述二维拓扑绝缘体材料通过湿法转移的方法转移至Ga2O3上表面,Ga2O3和二维拓扑绝缘体材料之间形成范德华异质结;利用电子束沉积的方法在二维拓扑绝缘体材料表面依次沉积Ti电极和Au电极。本发明采用范德华异质结,通过转移的方法形成异质结,而不是外延方法,克服了Ga2O3和Bi2Se3之间晶格失配而导致质量下降等问题。
公开/授权文献
- CN112420876A 一种从日盲紫外到近红外的宽波段探测器的制备方法 公开/授权日:2021-02-26