本发明提供一种二极管外延结构，解决现有二极管外延结构存在波导折射率较低、光损耗较大的问题。该二极管外延结构包括由下至上依次设置的N型GaAs衬底层、N型GaAs缓冲层、N型AlXGa(1‑X)As下限值层、AlXGa(1‑X)As波导层、GaYIn(1‑Y)As量子阱层、GaAs量子垒层、GaYIn(1‑Y)As量子阱层、GaAs量子垒层、AlXGa(1‑X)As波导层、P型AlXGa(1‑X)As下限制层、P型AlXGa(1‑X)As下限制层、P型AlXGa(1‑X)As下限制层、P型GaAs电流扩展层和P型GaAs电极接触层。该结构降低了波导势垒，增加了波导的折射率，增强波导对光的束缚性，从而提高了器件的发光效率。