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公开(公告)号：CN114421276B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202011101877.1
申请日：2020-10-09
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： H01S5/02326
摘要： 本发明公开了一种采用轴对称型结构的半导体激光巴条合束模组，若干个半导体激光巴条轴对称型的固定均匀分布于光纤耦合器的周围，共用同一套轴对称型夹具；合束模组是采用内、外齿轮装夹半导体激光巴条的圆柱型对称结构的合束模组，齿数为奇数Q个，相套同心，半导体激光巴条均匀分布装夹于内、外齿轮的相互咬合齿之间，发光面与内、外齿轮的内表面位于同一柱面；所述光纤耦合器由裸光纤包层外表面垂直于光纤光轴刻蚀有衍射结构的光纤制成，激光在裸光纤表面被衍射进入光纤；扇形的装夹结构，巴条的发光面一端夹持更紧，有利于热传导，装夹具的热胀冷缩形变转换为内、外齿轮围绕圆心轴的角位移，不改变激光对光纤的照射，压应力得到缓解。
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公开(公告)号：CN114486200B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202210107446.9
申请日：2022-01-28
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体激光器偏振测试方法及测试系统，主要解决现有偏振度的测试方法存在可靠性较低、测试成本较高以及无法确定准直光路是否与偏振分束棱镜处于有效夹角内的问题。该测试系统包括六维调节台、准直透镜、偏振分束棱镜、刻度调节板、功率探测装置、第一滑轨和第二滑轨；半导体激光器设置在安装在六维调节台上；准直透镜、偏振分束棱镜、功率探测装置和刻度调节板依次设置在半导体激光器的出射光路上；准直透镜对半导体激光器快轴慢轴进行光束准直；偏振分束棱镜设置在第一滑轨上；功率探测装置用于获取通过准直透镜和偏振分束棱镜激光束的光功率；刻度调节板设置在第二滑轨上。
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公开(公告)号：CN109576676B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201811595988.5
申请日：2018-12-25
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/04 , C23C16/513
摘要： 本发明提出一种用于半导体激光器芯片侧腔面镀膜的夹具，结构简明，对夹具精度要求不高，能够快速夹装芯片，避免在操作过程中污染或损伤芯片P面及腔面。该用于半导体激光器侧腔面镀膜的夹具包括底板、定位侧挡板、砷化镓解理片和上盖板；底板的上表面开设有平行的多条凹槽，凹槽沿长度方向贯通底板，并与底板相应的侧面垂直；凹槽的长度小于半导体激光器芯片的长度，芯片P面和N面的主体部分处于凹槽区域；凹槽的深度等于芯片厚度；凹槽在长度方向上的两端为其宽度最小的部位，并仅在此部位与芯片在宽度方向上接触；砷化镓解理片整体覆盖于底板及其凹槽内放置的半导体激光器芯片的表面，上盖板将砷化镓解理片压紧并固定。
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公开(公告)号：CN106292176B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201610877076.1
申请日：2016-09-30
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本发明提出一种与接触式光刻机配合使用的新的光刻板及其应用方法，利用该光刻板能够精确地计算晶圆平边和光刻图形的偏差角度。该光刻板上对应于晶圆平边的区域设置有标尺图形，所述标尺图形包括若干条平行标尺，其中有两条平行标尺分别作为对准基线和平行对准标示；所述对准基线位于整个标尺图形的中部，是标尺图形中最长的一条平行标尺；所述平行对准标示与对准基线之间的距离用于标示晶圆平边与对准基线可允许的最大偏差。按照上述方案在平边对应的光刻板区域制作标尺图形。光刻时，通过精确地控制晶圆平边与标尺图形中对准基线的距离，既可以实现左右两侧平行对准，也可以通过计算将偏转角度转化成距离，实现精确的平边补偿对准。
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公开(公告)号：CN116013821A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211644691.X
申请日：2022-12-20
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/683
摘要： 本发明涉及一种真空半导体芯片转运盒，主要解决现有转运工装存在胶水粘附力大小不可控，容易脱胶导致芯片固定失效的风险；后续工序需要对芯片进行清洗除胶，降低生产效率，增加生产成本，污染环境；胶水接触了大气中的灰尘后，洁净度降低，粘性下降，导致转运工装成为一次性用品，造成资源浪费的技术问题。包括盒体、盒盖、密封装置以及隔垫；盒体包括底板和侧板；底板上设有多个连接气孔，底板下侧设有安装孔，多个连接气孔均与安装孔连通；底板内侧设置有多个支撑柱，相邻支撑柱之间设有气道，连接气孔与气道连通；隔垫抵接于支撑柱上，隔垫四周与侧板连接，隔垫设有多个放置格；隔垫开设有多个通气孔。
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公开(公告)号：CN114486200A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210107446.9
申请日：2022-01-28
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体激光器偏振测试方法及测试系统，主要解决现有偏振度的测试方法存在可靠性较低、测试成本较高以及无法确定准直光路是否与偏振分束棱镜处于有效夹角内的问题。该测试系统包括六维调节台、准直透镜、偏振分束棱镜、刻度调节板、功率探测装置、第一滑轨和第二滑轨；半导体激光器设置在安装在六维调节台上；准直透镜、偏振分束棱镜、功率探测装置和刻度调节板依次设置在半导体激光器的出射光路上；准直透镜对半导体激光器快轴慢轴进行光束准直；偏振分束棱镜设置在第一滑轨上；功率探测装置用于获取通过准直透镜和偏振分束棱镜激光束的光功率；刻度调节板设置在第二滑轨上。
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公开(公告)号：CN114400505A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111582516.8
申请日：2021-12-22
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构，主要解决现有多波长激光器光路复杂、结构复杂以及成本较高的问题。该外延结构包括由下至上依次设置的N型衬底、出射波长为λ1的量子阱单元、第一陷阱隧道结、出射波长为λ2的量子阱单元、第二陷阱隧道结、出射波长为λ3的量子阱单元和P型接触层；第一陷阱隧道结用于调制出射波长为λ1的量子阱单元、出射波长为λ2的量子阱单元激射的光场；第二陷阱隧道结用于调制出射波长为λ2的量子阱单元、出射波长为λ3的量子阱单元激射的光场；第一陷阱隧道结和第二陷阱隧道结均包括由下至上依次设置的P型陷阱层、P型重掺杂层、N型重掺杂层和N型陷阱层。
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公开(公告)号：CN112821187A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011611708.2
申请日：2020-12-30
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： H01S5/0233 , H01S5/02345 , H01S5/024
摘要： 本发明提供一种半导体激光器单巴封装方法，解决现有激光器单巴封装成本高、制造工艺复杂、体积大、使用范围较窄等问题。该半导体激光器单巴封装方法包括：步骤一、将负电极通过绝缘材料设置在铜热沉的上表面；步骤二、将正电极焊接在铜热沉的上表面；步骤三、将半导体激光器巴条的P面与钨铜热沉的上表面通过金锡合金焊接，将钨铜热沉的下表面与铜热沉的上表面通过金锡合金焊接；步骤四、将半导体激光器巴条的N面与负电极通过金线连接；步骤五、将铜热沉安装在散热器上。通过本发明方法对激光器单巴进行封装时，材料要求较低，对加工设备的要求也较低，同时，该方法简单易实现，使用范围较广。
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公开(公告)号：CN112563378A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011459843.X
申请日：2020-12-11
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种氧化增光二极管制作方法，解决现有二极管制作方法存在氧化不均匀、串联电阻高、造成产品分类多、循环次数较多等问题。该方法包括：步骤一、在GaAs衬底上生长外延结构，在进行AlAs生长时，TMAl中增加40～100PPM的氧元素；步骤二、制作正面金属电极；步骤三、制作背面金属；步骤四、图形制作；步骤五、在350～450℃、保护气体环境下进行退火；步骤六、进行切割；步骤七、进行AlAs氧化，氧化气体条件：在保护气体环境下增加水蒸气，混气出口温度90～100℃；步骤八、进行芯片测试。本发明方法在TMAl中加入少量的氧元素，使得产品氧化均匀性提高，同时AlAs氧化后变成Al2O3，折射率由3.09降低到1.77，增加ΔN，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN112164975A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011032905.9
申请日：2020-09-27
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体激光器芯片的合束方法及合束装置，目的是解决现有激光器合束方式存在合束激光能量低以及功率光束质量比低的问题。该半导体激光器芯片的合束方法包括：步骤一、在光纤包层表面制作衍射结构，同时在光纤一端制作全反射膜；步骤二、将多个半导体激光器芯片设置在光纤包层外侧；步骤三、半导体激光器芯片发出的光经布满衍射结构的光纤包层进入光纤纤芯，最终从光纤另一端输出，从而实现激光合束。
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