公开(公告)号：CN112563378B

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202011459843.X

申请日：2020-12-11

申请人： 西安立芯光电科技有限公司

发明人： 夏黎明 ,  李青民 ,  任占强 ,  李喜荣 ,  王宝超 ,  张超奇 ,  孙丞 ,  李波

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/26 ,  H01L33/00

摘要： 本发明提供一种氧化增光二极管制作方法，解决现有二极管制作方法存在氧化不均匀、串联电阻高、造成产品分类多、循环次数较多等问题。该方法包括：步骤一、在GaAs衬底上生长外延结构，在进行AlAs生长时，TMAl中增加40～100PPM的氧元素；步骤二、制作正面金属电极；步骤三、制作背面金属；步骤四、图形制作；步骤五、在350～450℃、保护气体环境下进行退火；步骤六、进行切割；步骤七、进行AlAs氧化，氧化气体条件：在保护气体环境下增加水蒸气，混气出口温度90～100℃；步骤八、进行芯片测试。本发明方法在TMAl中加入少量的氧元素，使得产品氧化均匀性提高，同时AlAs氧化后变成Al2O3，折射率由3.09降低到1.77，增加ΔN，提高了器件性能。

公开(公告)号：CN112563378A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011459843.X

申请日：2020-12-11

申请人： 西安立芯光电科技有限公司

发明人： 夏黎明 ,  李青民 ,  任占强 ,  李喜荣 ,  王宝超 ,  张超奇 ,  孙丞 ,  李波

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/26 ,  H01L33/00

摘要： 本发明提供一种氧化增光二极管制作方法，解决现有二极管制作方法存在氧化不均匀、串联电阻高、造成产品分类多、循环次数较多等问题。该方法包括：步骤一、在GaAs衬底上生长外延结构，在进行AlAs生长时，TMAl中增加40～100PPM的氧元素；步骤二、制作正面金属电极；步骤三、制作背面金属；步骤四、图形制作；步骤五、在350～450℃、保护气体环境下进行退火；步骤六、进行切割；步骤七、进行AlAs氧化，氧化气体条件：在保护气体环境下增加水蒸气，混气出口温度90～100℃；步骤八、进行芯片测试。本发明方法在TMAl中加入少量的氧元素，使得产品氧化均匀性提高，同时AlAs氧化后变成Al2O3，折射率由3.09降低到1.77，增加ΔN，提高了器件性能。

公开(公告)号：CN112563376A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011459828.5

申请日：2020-12-11

申请人： 西安立芯光电科技有限公司

发明人： 夏黎明 ,  李青民 ,  任占强 ,  李波 ,  李会利 ,  杜美本

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

摘要： 本发明提供一种二极管外延结构，解决现有二极管外延结构存在波导折射率较低、光损耗较大的问题。该二极管外延结构包括由下至上依次设置的N型GaAs衬底层、N型GaAs缓冲层、N型AlXGa(1‑X)As下限值层、AlXGa(1‑X)As波导层、GaYIn(1‑Y)As量子阱层、GaAs量子垒层、GaYIn(1‑Y)As量子阱层、GaAs量子垒层、AlXGa(1‑X)As波导层、P型AlXGa(1‑X)As下限制层、P型AlXGa(1‑X)As下限制层、P型AlXGa(1‑X)As下限制层、P型GaAs电流扩展层和P型GaAs电极接触层。该结构降低了波导势垒，增加了波导的折射率，增强波导对光的束缚性，从而提高了器件的发光效率。