- 专利标题： 一种基于溶剂处理制备二硫化钼薄层及其薄膜晶体管的方法
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申请号： CN202011609886.1申请日： 2020-12-31
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公开(公告)号： CN112599468A公开(公告)日： 2021-04-02
- 发明人: 张禹 , 王军 , 张浩 , 陈雄 , 武永华
- 申请人： 福建江夏学院
- 申请人地址： 福建省福州市闽侯县福州地区大学新校区溪源宫路2号
- 专利权人： 福建江夏学院
- 当前专利权人： 福建江夏学院
- 当前专利权人地址： 福建省福州市闽侯县福州地区大学新校区溪源宫路2号
- 代理机构： 福州元创专利商标代理有限公司
- 代理商 俞舟舟; 蔡学俊
- 主分类号： H01L21/683
- IPC分类号： H01L21/683 ; H01L21/02
摘要：
本发明提供了一种基于溶剂处理制备二硫化钼薄层及其薄膜晶体管的方法，采用胶带将MoS2样品随胶带粘覆到带有异丙醇的Si/SiO2衬底上，然后在胶带与Si/SiO2衬底间的空隙处填充溶剂，进行热处理，热剥离得到MoS2薄层，该工艺的主要特点是所制备的MoS2薄层面积大、产率高，而且操作过程简单、无需大型制膜设备，工艺涉及的辅料均为实验室常见常用溶剂，无明显毒性。
公开/授权文献
- CN112599468B 一种基于溶剂处理制备二硫化钼薄层及其薄膜晶体管的方法 公开/授权日：2022-10-14