公开(公告)号：CN112599468B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202011609886.1

申请日：2020-12-31

申请人： 福建江夏学院

发明人： 张禹 ,  王军 ,  张浩 ,  陈雄 ,  武永华

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/02

摘要： 本发明提供了一种基于溶剂处理制备二硫化钼薄层及其薄膜晶体管的方法，采用胶带将MoS2样品随胶带粘覆到带有异丙醇的Si/SiO2衬底上，然后在胶带与Si/SiO2衬底间的空隙处填充溶剂，进行热处理，热剥离得到MoS2薄层，该工艺的主要特点是所制备的MoS2薄层面积大、产率高，而且操作过程简单、无需大型制膜设备，工艺涉及的辅料均为实验室常见常用溶剂，无明显毒性。

公开(公告)号：CN112635333A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202110039893.0

申请日：2021-01-13

申请人： 福建江夏学院

发明人： 张浩 ,  张禹 ,  陈雄 ,  武永华 ,  颜峰坡

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L29/786

摘要： 本发明主要涉及半导体薄膜晶体管制备技术领域，具体涉及一种ZnSnO薄膜晶体管的制备方法。本发明通过制备ZTO前驱体溶液，将其旋涂在HfO2薄膜上然后将涂覆的薄膜放置在盛有氨水容器上方，具有挥发性NH3扩散到有源层薄膜表面，通过“氨浴”方法实现氮掺杂到ZTO TFT中，可以抑制与氧气有关的缺陷，提高器件的稳定性。

公开(公告)号：CN112599468A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011609886.1

申请日：2020-12-31

申请人： 福建江夏学院

发明人： 张禹 ,  王军 ,  张浩 ,  陈雄 ,  武永华

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/02

摘要： 本发明提供了一种基于溶剂处理制备二硫化钼薄层及其薄膜晶体管的方法，采用胶带将MoS2样品随胶带粘覆到带有异丙醇的Si/SiO2衬底上，然后在胶带与Si/SiO2衬底间的空隙处填充溶剂，进行热处理，热剥离得到MoS2薄层，该工艺的主要特点是所制备的MoS2薄层面积大、产率高，而且操作过程简单、无需大型制膜设备，工艺涉及的辅料均为实验室常见常用溶剂，无明显毒性。