发明公开
- 专利标题： 存储器器件及其形成方法
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申请号： CN202011060573.5申请日： 2020-09-30
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公开(公告)号： CN112701161A公开(公告)日： 2021-04-23
- 发明人: 赖昇志 , 林仲德
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 优先权： 62/924,736 20191023 US 16/903,545 20200617 US
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L27/1159 ; H01L27/11597 ; H01L27/11587
摘要：
本发明的各个实施例针对金属‑铁电‑绝缘体‑半导体(MFIS)存储器器件和用于形成MFIS存储器器件的方法。根据MFIS存储器器件的一些实施例，下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域垂直堆叠。半导体沟道位于下部源极/漏极区域上面并且位于上部源极/漏极区域下面。半导体沟道从下部源极/漏极区域延伸至上部源极/漏极区域。控制栅电极沿着半导体沟道的侧壁并且还沿着下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域的单独的侧壁延伸。栅极介电层和铁电层将控制栅电极与半导体沟道以及下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域分隔开。本发明的实施例涉及存储器器件及其形成方法。
公开/授权文献
- CN112701161B 存储器器件及其形成方法 公开/授权日：2024-04-09
IPC分类:
