发明授权
- 专利标题: 一种双R双凸高可靠性低频晶体谐振器
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申请号: CN202110101107.5申请日: 2021-01-26
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公开(公告)号: CN112865737B公开(公告)日: 2024-08-20
- 发明人: 李伟 , 姚烨
- 申请人: 辽阳鸿宇晶体有限公司
- 申请人地址: 辽宁省辽阳市白塔区西文化路20号
- 专利权人: 辽阳鸿宇晶体有限公司
- 当前专利权人: 辽阳鸿宇晶体有限公司
- 当前专利权人地址: 辽宁省辽阳市白塔区西文化路20号
- 代理机构: 沈阳鼎恒知识产权代理事务所
- 代理商 赵月娜
- 主分类号: H03H3/02
- IPC分类号: H03H3/02 ; H03H9/05 ; H03H9/09
摘要:
本发明涉及一种双R双凸高可靠性低频晶体谐振器,包括基座组、支撑于基座组上的振子、与基座组配合封装的外壳,振子由晶片和涂覆于晶片上的电极组成,其技术要点是:晶片为圆形,晶片的上、下表面的中部对称设有半径为R1的球面凸起,球面凸起与晶体的边缘之间设有环形过渡凸起,环形过渡凸起的横截面轮廓为弧形且半径为R2,R1>R2;所述电极位于球面凸起表面,球面凸起与环形过渡凸起形成振动能量阶梯式传播路径,球面凸起位置为能陷波振幅最强区,环形过渡凸起为振动波节面,能量波在环形过渡凸起处由内到外呈指数衰减。本发明解决了现有低频晶体谐振器谐振电阻大和频率温度稳定性差的问题,产品合格率高,稳定性好。
公开/授权文献
- CN112865737A 一种双R双凸高可靠性低频晶体谐振器 公开/授权日:2021-05-28