发明公开
- 专利标题： 一种高纯低氧硅粉及其制备方法
-
申请号： CN202110128735.2申请日： 2021-01-29
-
公开(公告)号： CN112875707A公开(公告)日： 2021-06-01
- 发明人: 李利利 , 丁照崇 , 张晓娜 , 曲鹏 , 曹晓萌 , 杜文路 , 贾倩 , 李勇军 , 滕海涛
- 申请人： 有研亿金新材料有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区超前路33号
- 专利权人： 有研亿金新材料有限公司
- 当前专利权人： 有研亿金新材料有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区超前路33号
- 代理机构： 北京众合诚成知识产权代理有限公司
- 代理商 陈波
- 主分类号： C01B33/021
- IPC分类号： C01B33/021
摘要：
本发明公开了一种高纯低氧球形金属硅粉及其制备方法,所述制备方法以高纯硅块为原料，采用感应导热材料石墨作为外部导热层、不与硅反应材料(如氧化铝、氧化锆、氮化硼等)作为内部隔离层设计特种结构坩埚，采用真空气雾化法制备高纯低氧球形金属硅粉。本发明所制备的硅粉的粉末粒度为10‑50μm，纯度≥99.999％，氧含量≤400ppm，球形度90％以上，满足了特种高纯金属合金的使用要求。
公开/授权文献
- CN112875707B 一种高纯低氧硅粉及其制备方法 公开/授权日：2023-04-18
