-
公开(公告)号：CN117758088A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311745746.0
申请日：2023-12-18
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
摘要： 本发明属于磁控溅射靶材制造技术领域，公开了一种高纯高均匀低氧钼硅合金靶材及其制备方法。所述钼硅合金靶材，以钼块和硅块为原料，先通过熔炼的方式获得高纯度无偏析低氧的Mo3Si合金铸锭，经酸洗后使用无坩埚雾化制粉的方式，筛分制备高纯低氧的球形Mo3Si合金粉末。最后与Mo粉进行混合进行真空热压烧结，获得Si含量≤25wt％，尺寸≥300mm，纯度≥4N，致密度≥99.5％，平均晶粒尺寸≤20μm，整体靶面Si含量成分波动≤±0.5wt％，氧含量≤100ppm的高纯钼硅合金靶材。
-
公开(公告)号：CN113981386B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202111160175.5
申请日：2021-09-30
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明提出一种高钪含量铝钪合金靶材的制造方法，通过采用Sc粉与第二相化合物Al3Sc粉进行配料混合，Sc的熔点(1541℃)Al3Sc的熔点(1320℃)均较高，能够提高粉末烧结温度至1000‑1300℃，提高了AlSc靶材的致密度；并且由于直接加入了第二相化合物Al3Sc粉，能够使得第二相更加均匀弥散的分布。
-
公开(公告)号：CN113278932A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202011617741.6
申请日：2020-12-30
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明公开了属于磁控溅射靶材制造技术领域的一种扩散焊接型AlSc合金靶材的一次成型制备方法。本发明公开的扩散焊接型AlSc合金靶材的制备方法，采用熔炼工艺成型，将配比好的合金熔液直接浇注在焊接面有燕尾槽并加镀层的背板上，另外一面通冷却水冷却，通过背板燕尾槽的结构设计，实现靶材近尺寸成型及与背板扩散焊接一体成型，最终AlSc合金靶材的焊合率≥99％，焊接强度≥10MPa。通过浇注一次成型扩散焊接靶材，减少繁琐的靶面成型及热等静压扩散焊接，大大降低成本，并利用背板焊接面加镀层，防止焊接面生成脆性相，得到焊接强度满足使用要求的产品。
-
公开(公告)号：CN112935271A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110118432.2
申请日：2021-01-28
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种团簇结构的高纯微纳钨粉的制备方法，其包括：(a)以高纯度的仲钨酸铵为初始原料，将其溶解于低浓度氨水中得到钨酸铵溶液；(b)向上述得到钨酸铵溶液中加入表面活性剂，接着加入盐酸，经中和结晶得到钨酸铵前驱体；(c)将上述得到的钨酸铵前驱体煅烧得到泡沫状氧化钨；(d)氢气还原处理泡沫状氧化钨得到高纯微纳钨粉。本发明的制备方法所用的原料成本低，流动性好，工艺简单，制备的高纯微纳钨粉为团簇结构，纯度高于99.999％，与现有技术相比，所制备的高纯微纳钨粉的粒径尺寸显著更小，氧含量显著更低，能够满足微电子领域高端使用要求。
-
公开(公告)号：CN112846171A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110008313.1
申请日：2021-01-05
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于钨靶材热等静压扩散焊接的粉末层，其由Ti、Al和Cu构成，各粉末质量占比为Ti粉末15％‑25％，Cu粉末15％‑25％，Al粉末50％‑70％。其中的Ti、Cu组分可起到过渡W靶材与Cu背板物性差异的作用；Al组分可起到释放热应力，减小钨靶材最终变形的作用，最终获得焊接强度大于150MPa，焊合率>99.7％，W靶材表面变形
-
公开(公告)号：CN112708864A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011535127.5
申请日：2020-12-23
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明公开了属于磁控溅射靶材制造技术领域的一种铝钪合金靶材的制造方法。所述铝钪合金靶材制造方法为：以铝块、粒度为5～50微米的1～4种铝钪中间化合物球形粉为原料，置于氧化铝或氧化锆熔炼坩埚内，经过700～900℃的中频感应熔炼及电磁搅拌，使得铝块完全熔化，而铝钪中间化合物粉体不熔化，最终形成铝钪中间化合物粉体均匀分散其间的高温铝浆料；然后将高温铝浆料快速浇铸到模具内，冷却凝固一次成型得到近成品尺寸靶坯；然后对该靶坯进行机加工得到铝钪合金靶材。
-
公开(公告)号：CN115029674B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202210514946.4
申请日：2022-05-12
申请人： 有研亿金新材料有限公司 , 有研亿金新材料(山东)有限公司
摘要： 一种低偏析铝钪合金靶材是采用Al包覆Sc的核壳结构，其Sc含量为20～50at％，成分波动在±0.2％之内，氧含量小于200ppm，相对密度不小于99.5％的AlSc合金靶材；其制备方法，包括：加入粘结剂的Sc粉与Al粉混粉，热处理烧结粉末，获得核壳结构AlSc合金粉末，热压烧结及获得低偏析铝钪合金靶材；本发明形成的合金粉后，不存在后期传输过程由于两种粉末性质不同造成的二次偏析现象，经过后期热压烧结后可获得低偏析的AlSc合金靶材。
-
公开(公告)号：CN113981386A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111160175.5
申请日：2021-09-30
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明提出一种高钪含量铝钪合金靶材的制造方法，通过采用Sc粉与第二相化合物Al3Sc粉进行配料混合，Sc的熔点(1541℃)Al3Sc的熔点(1320℃)均较高，能够提高粉末烧结温度至1000‑1300℃，提高了AlSc靶材的致密度；并且由于直接加入了第二相化合物Al3Sc粉，能够使得第二相更加均匀弥散的分布。
-
公开(公告)号：CN110964967B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201911336373.5
申请日：2019-12-23
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 本发明公开了属于磁控溅射靶材制造技术领域的一种具有低热膨胀系数的背板及其制造方法。所述背板采用高热导Al或Cu金属粉末及低热膨胀的AlN粉末为原料，通过配料、混粉，再经压力烧结、机加工出靶材用背板。该背板热膨胀系数不大于10×10‑6K‑1、热导率不小于200W·m‑1·K‑1、直径相对密度大于99％，可以与低热膨胀的系列靶材实现高可靠性焊接复合。
-
公开(公告)号：CN112875707A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110128735.2
申请日：2021-01-29
申请人： 有研亿金新材料有限公司
IPC分类号： C01B33/021
摘要： 本发明公开了一种高纯低氧球形金属硅粉及其制备方法,所述制备方法以高纯硅块为原料，采用感应导热材料石墨作为外部导热层、不与硅反应材料(如氧化铝、氧化锆、氮化硼等)作为内部隔离层设计特种结构坩埚，采用真空气雾化法制备高纯低氧球形金属硅粉。本发明所制备的硅粉的粉末粒度为10‑50μm，纯度≥99.999％，氧含量≤400ppm，球形度90％以上，满足了特种高纯金属合金的使用要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
37 条记录 (耗时 0.071 秒)
