发明授权
- 专利标题: 一种自补偿的气敏集成场效应管结构
-
申请号: CN202110084730.4申请日: 2021-01-21
-
公开(公告)号: CN112928115B公开(公告)日: 2023-05-26
- 发明人: 袁震 , 太惠玲 , 蒋亚东 , 梁俊阁 , 赵秋妮 , 段晓辉
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司
- 代理商 梁伟东
- 主分类号: H01L27/085
- IPC分类号: H01L27/085 ; H01L29/43 ; G01N27/12
摘要:
本发明公开了气敏集成场效应管结构,属于气体传感器技术领域,具体涉及一种自补偿的气敏集成场效应管结构,该结构包括主敏感单元场效应管与补偿单元场效应管,采用双同型场效应管共极结构,利用主敏感单元与补偿单元场效应管敏感栅的吸附敏感功能,调制双场效应管分压,实现气敏场效应管结构对主测试气体的选择性自补偿信号输出。本发明所述的自补偿气敏集成场效应管结构可消除特定干扰气体对气敏场效应管敏感特性的影响,提升气敏场效应管的气敏选择性,提高气敏场效应管输出信号可靠性,在环境监测、食品安全及军事等领域均具有广泛的应用前景。
公开/授权文献
- CN112928115A 一种自补偿的气敏集成场效应管结构 公开/授权日:2021-06-08
IPC分类: