发明授权
- 专利标题： 半导体器件及其形成方法
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申请号： CN202011117507.7申请日： 2020-10-19
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公开(公告)号： CN113056097B公开(公告)日： 2024-11-08
- 发明人: 曹智强 , 邱肇玮 , 郭炫廷 , 张家纶 , 翁正轩 , 林修任 , 谢静华
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 主分类号： H05K1/18
- IPC分类号： H05K1/18 ; H05K3/34
摘要：
一种器件可以包括第一封装件和第二封装件，其中第一封装件具有翘曲形状。附接至第一封装件的再分布结构的第一连接件包括嵌入在其中的间隔件。附接至再分布结构的第二连接件没有间隔件。第一连接件的间隔件在将第一封装件附接至第二封装件期间在第一封装件和第二封装件之间保持最小距离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
公开/授权文献
- CN113056097A 半导体器件及其形成方法 公开/授权日：2021-06-29
