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公开(公告)号：CN111883443A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010734386.4
申请日：2015-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/66 , H01L21/98 , H01L23/488 , H01L25/065 , H01L25/18
Abstract: 本发明提供了封装结构中的可变互连接头。一种实施例方法，包括分析第一封装组件和第二封装组件的翘曲特性并且在第一封装组件上形成多个焊料膏元件。多个焊料膏元件中的每一个的体积基于第一封装组件和第二封装组件的翘曲特性。方法还包括将设置在第二封装组件上的多个连接件对准第一封装件上的多个焊料膏元件，并且通过回流多个连接件和多个焊料膏元件将第二封装组件接合至第一封装组件。
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公开(公告)号：CN110957305A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910922374.1
申请日：2019-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种电子装置及其制造方法。所述电子装置包括芯片封装、天线图案及绝缘层。芯片封装包括半导体管芯及包围半导体管芯的绝缘包封体。天线图案电耦合到芯片封装，其中天线图案的材料包括具有熔融金属颗粒的导电粉末。绝缘层设置在芯片封装与天线图案之间，其中天线图案包括接触绝缘层的第一表面及与第一表面相对的第二表面且第二表面的表面粗糙度大于第一表面的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN109786340A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810996129.0
申请日：2018-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。一种半导体结构包括嵌入在模制材料中的管芯，管芯具有位于第一侧上的管芯连接件；位于管芯的第一侧处的第一再分布结构，第一再分布结构通过管芯连接件电连接至管芯；位于管芯的与第一侧相对的第二侧处的第二再分布结构；以及位于第二再分布结构中的导热材料，管芯介于导热材料和第一再分布结构之间，导热材料延伸穿过第二再分布结构，并且导热材料是电隔离的。
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公开(公告)号：CN108807196A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201711130777.X
申请日：2017-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56
Abstract: 根据一些实施例，提供芯片封装体的形成方法。上述方法包含形成保护层，以围绕半导体管芯，其中保护层具有相对的第一表面及第二表面。上述方法包含形成介电层于保护层的第一表面及半导体管芯上方。上述方法包含形成导电部件于介电层上方，使得导电部件电性连接至半导体管芯的导电元件。上述方法还包括将翘曲控制元件压印至保护层的第二表面及半导体管芯上，使得半导体管芯位于翘曲控制元件与介电层之间。
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公开(公告)号：CN114388374A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110409550.9
申请日：2021-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 形成半导体封装件的方法包括：在再分布结构上形成焊膏的区域，其中，焊膏具有第一熔化温度；在互连结构上形成焊料凸块，其中，焊料凸块具有大于第一熔化温度的第二熔化温度；将焊料凸块放置在焊膏的区域上；在第一回流温度下执行第一回流工艺第一持续时间，其中，第一回流温度小于第二熔化温度；以及在执行第一回流工艺之后，在第二回流温度下执行第二回流工艺第二持续时间，其中第二回流温度大于第二熔化温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113056097A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011117507.7
申请日：2020-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种器件可以包括第一封装件和第二封装件，其中第一封装件具有翘曲形状。附接至第一封装件的再分布结构的第一连接件包括嵌入在其中的间隔件。附接至再分布结构的第二连接件没有间隔件。第一连接件的间隔件在将第一封装件附接至第二封装件期间在第一封装件和第二封装件之间保持最小距离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN107342278A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201610929028.2
申请日：2016-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/52 , H01L21/768 , H01L23/31 , H01L23/488
CPC classification number: H01L25/0652 , H01L21/486 , H01L21/50 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L23/5387 , H01L23/5389 , H01L23/562 , H01L24/02 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2021/6003 , H01L2021/60052 , H01L2021/6009 , H01L2021/60247 , H01L2021/60255 , H01L2221/68331 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2221/68372 , H01L2224/02331 , H01L2224/02373 , H01L2224/02379 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2224/83 , H01L23/52 , H01L21/768 , H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 一种封装结构，包含模制材料、至少一通孔、至少一导电体、至少一虚设结构与一填充材料。通孔延伸穿过模制材料。导电体位于通孔中。虚设结构位于模制材料，并包含电介质材料。填充材料至少部分位于导电体与虚设结构之间。
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公开(公告)号：CN106373945A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510756123.2
申请日：2015-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L21/98
Abstract: 本发明提供了封装结构中的可变互连接头。一种实施例方法，包括分析第一封装组件和第二封装组件的翘曲特性并且在第一封装组件上形成多个焊料膏元件。多个焊料膏元件中的每一个的体积基于第一封装组件和第二封装组件的翘曲特性。方法还包括将设置在第二封装组件上的多个连接件对准第一封装件上的多个焊料膏元件，并且通过回流多个连接件和多个焊料膏元件将第二封装组件接合至第一封装组件。
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公开(公告)号：CN113056097B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202011117507.7
申请日：2020-10-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种器件可以包括第一封装件和第二封装件，其中第一封装件具有翘曲形状。附接至第一封装件的再分布结构的第一连接件包括嵌入在其中的间隔件。附接至再分布结构的第二连接件没有间隔件。第一连接件的间隔件在将第一封装件附接至第二封装件期间在第一封装件和第二封装件之间保持最小距离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN118629999A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410611196.1
申请日：2024-05-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 实施例包括器件。器件包括：中介层；封装衬底；以及将封装衬底接合至中介层的导电连接件。导电连接件的每个具有凸侧壁。导电连接件的第一子集在顶视图中设置在封装衬底的中心中。导电连接件的第二子集在顶视图中设置在封装衬底的边缘/拐角中。导电连接件的第二子集的每个具有比导电连接件的第一子集的每个大的高度。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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