发明公开
CN113106506A 一种用于电镀钴的镀液及电镀方法
无效 - 驳回
- 专利标题: 一种用于电镀钴的镀液及电镀方法
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申请号: CN202110402998.8申请日: 2021-04-15
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公开(公告)号: CN113106506A公开(公告)日: 2021-07-13
- 发明人: 王翀 , 陈雪丽 , 陈苑明 , 洪延 , 何为 , 王守绪 , 周国云 , 张伟华 , 苏新虹 , 李照飞 , 罗毓瑶 , 叶依林
- 申请人: 电子科技大学 , 珠海方正科技高密电子有限公司
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;
- 专利权人: 电子科技大学,珠海方正科技高密电子有限公司
- 当前专利权人: 电子科技大学,珠海方正科技高密电子有限公司
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;
- 代理机构: 成都点睛专利代理事务所
- 代理商 霍淑利
- 主分类号: C25D3/18
- IPC分类号: C25D3/18 ; C25D5/18
摘要:
本发明涉及一种用于电镀钴的镀液及电镀方法,属于电子元器件制造领域。本发明的一种用于电镀钴的镀液中各组分及浓度如下:Co2+:0.05‑1mol/L,支持电解质:20‑100g/L,辅助配位剂:1‑48.6g/L,缓冲剂:20‑45g/L,稳定剂:0.2‑1g/L,辅助光亮剂:0.001‑0.01g/L,分散剂:0.05‑2g/L,整平剂:0.2‑1.6g/L。在进行大马士革电镀、微孔填充等精密电子互连线路的制造时,采用本发明的一种用于电镀钴的镀液可实现无孔隙钴填充,解决了精密电子互连线路中使用铜互连时无法避免的电迁移、互扩散等问题,本发明将有助于提升导电性、降低功耗并大幅减小芯片体积,使芯片效能更优越。