发明公开
- 专利标题： 测量光刻工艺的参数的方法
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申请号： CN201980082667.1申请日： 2019-11-19
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公开(公告)号： CN113168122A公开(公告)日： 2021-07-23
- 发明人: H·A·J·克拉默 , H·D·波斯 , E·J·库普 , A·E·A·库伦 , H-K·尼恩海斯 , A·波洛 , 廉晋 , A·J·登博夫
- 申请人： ASML荷兰有限公司
- 申请人地址： 荷兰维德霍温
- 专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人地址： 荷兰维德霍温
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理商 赵林琳; 郑振
- 优先权： 18212262.2 20181213 EP
- 国际申请： PCT/EP2019/081836 2019.11.19
- 国际公布： WO2020/120082 EN 2020.06.18
- 进入国家日期： 2021-06-11
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20 ; G01N21/47
摘要：
本公开涉及对光刻工艺的参数的测量以及量测装置。在一个布置中，修改来自辐射源的辐射，并且该辐射用于照射使用光刻工艺形成在衬底上的目标。对从目标散射的辐射进行检测和分析以确定参数。对辐射进行修改包括：修改辐射的波长谱以具有介于全局最大值与局部最大值之间的局部最小值，其中局部最小值处的辐射的功率谱密度小于全局最大值处的辐射的功率谱密度的20％，并且局部最大值处的辐射的功率谱密度至少为全局最大值处的辐射的功率谱密度的50％。
IPC分类:
