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    量测方法和装置
    2.
    发明授权
    量测方法和装置 有权

    公开(公告)号：CN111065970B

    公开(公告)日：2023-03-31

    申请号：CN201880057786.7

    申请日：2018-08-17

    申请人： ASML荷兰有限公司

    发明人： M·J·J·杰克 ,  M·艾伯特 ,  A·J·登博夫 ,  N·潘迪

    IPC分类号： G03F7/20

    摘要： 一种方法，包括：针对一个或多个测量质量参数，评估与使用图案化过程所处理的衬底的量测目标的测量相关联的多个偏振特性；并且基于测量质量参数中的一个或多个测量质量参数，从多个偏振特性中选择一个或多个偏振特性。

    量测方法、设备和计算机程序
    3.
    发明公开
    量测方法、设备和计算机程序 审中-实审

    公开(公告)号：CN115777084A

    公开(公告)日：2023-03-10

    申请号：CN202180048651.6

    申请日：2021-05-27

    申请人： ASML荷兰有限公司

    发明人： S·G·J·马西森 ,  P·A·J·蒂内曼斯 ,  A·J·登博夫 ,  K·巴塔查里亚 ,  S·U·雷曼

    IPC分类号： G03F7/20

    摘要： 公开一种改进感兴趣参数的测量的方法。方法包括：获得量测数据，量测数据包括与衬底上的一个或多个目标相关的感兴趣参数的多个测量值，每个测量值与所述一个或多个目标中的目标和测量目标的测量条件的不同测量组合，以及与一个或多个目标的不对称性相关的不对称性度量数据相关。基于测量组合中感兴趣参数存在公共真实值的假设，确定测量组合中的每个测量组合使感兴趣参数的真实值与不对称性度量数据相关的各自关系。使用这些关系来改进感兴趣参数的测量。

    测量光刻工艺的参数的方法
    5.
    发明公开
    测量光刻工艺的参数的方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113168122A

    公开(公告)日：2021-07-23

    申请号：CN201980082667.1

    申请日：2019-11-19

    申请人： ASML荷兰有限公司

    发明人： H·A·J·克拉默 ,  H·D·波斯 ,  E·J·库普 ,  A·E·A·库伦 ,  H-K·尼恩海斯 ,  A·波洛 ,  廉晋 ,  A·J·登博夫

    IPC分类号： G03F7/20 ,  G01N21/47

    摘要： 本公开涉及对光刻工艺的参数的测量以及量测装置。在一个布置中，修改来自辐射源的辐射，并且该辐射用于照射使用光刻工艺形成在衬底上的目标。对从目标散射的辐射进行检测和分析以确定参数。对辐射进行修改包括：修改辐射的波长谱以具有介于全局最大值与局部最大值之间的局部最小值，其中局部最小值处的辐射的功率谱密度小于全局最大值处的辐射的功率谱密度的20％，并且局部最大值处的辐射的功率谱密度至少为全局最大值处的辐射的功率谱密度的50％。

    量测方法和设备、计算机程序及光刻系统
    6.
    发明授权
    量测方法和设备、计算机程序及光刻系统 有权

    公开(公告)号：CN107771271B

    公开(公告)日：2020-11-06

    申请号：CN201680033826.5

    申请日：2016-04-18

    申请人： ASML荷兰有限公司

    发明人： 曾思翰 ,  彭玥霖 ,  方仁宇 ,  A·J·登博夫 ,  A·斯塔杰 ,  洪敬懿 ,  P·沃纳尔

    IPC分类号： G01B11/24 ,  G03F7/20 ,  G01B11/27

    摘要： 公开了用于测量光刻工艺的参数的方法、计算机程序和相关联的设备。方法包括如下步骤：获得包括与多个第一结构有关的结构不对称性的测量的第一测量，结构不对称性的所述多个测量中的每一个对应于测量辐射的不同测量组合和至少第一参数的值；获得与多个目标有关的目标不对称性的多个第二测量，目标不对称性的所述多个测量中的每一个对应于所述不同测量组合中的一个；针对所述测量组合中的每一个确定描述所述第一测量与所述第二测量之间的关系的关系函数；从所述关系函数确定校正重叠值，所述校正重叠值针对归因于至少所述第一结构中的结构不对称性的结构贡献被校正。