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公开(公告)号：CN109073995B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201780027317.6
申请日：2017-03-01
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种确定图案化工艺的参数的方法，该方法包括：获得检测到的由在标称物理配置下具有几何对称性的结构重定向的辐射的表示，其中通过用辐射光束照射衬底使得所述衬底上的光束斑点被所述结构填充来获得检测到的辐射的表示；以及由硬件计算机系统基于来自所述检测到的辐射的表示中的不对称光学特性分布部分的光学特性值来确定所述图案化工艺的参数的值，所述检测到的辐射的表示中的不对称光学特性分布部分具有比所述检测到的辐射的表示中的另一部分更高的权重，所述不对称光学特性分布源自所述结构的与所述标称物理配置不同的物理配置。
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公开(公告)号：CN112005157A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980025279.X
申请日：2019-02-04
申请人： ASML荷兰有限公司
摘要： 公开一种用于测量与衬底上的结构有关的关注的特性的方法和相关联设备。所述方法包括在利用照射辐射照射结构之后，直接地由关注的特性对在照射辐射被所述照射辐射被所述结构散射时的至少相位的影响，来计算关注的特性的值。
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公开(公告)号：CN109073999A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027341.X
申请日：2017-03-01
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·J·范李斯特 , A·特斯阿特马斯 , P·C·欣南 , E·G·麦克纳马拉 , A·弗玛 , T·希尤维斯 , H·A·J·克拉默 , M·I·德拉富恩特瓦伦丁 , K·范维特文 , M·M·扎尔 , 王淑錦
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种量测目标包括：第一结构，被布置为由第一图案化工艺创建；和第二结构，被布置为由第二图案化工艺创建，其中所述第一结构和/或所述第二结构不被用来创建器件图案的功能方面，其中所述第一结构和所述第二结构一起形成单位单元的一个或多个实例，所述单位单元在标称物理配置下具有几何对称性，并且其中所述单位单元具有特征，所述特征由于所述第一图案化工艺、所述第二图案化工艺和/或另一图案化工艺中的图案放置的相对偏移而在与所述标称物理配置不同的物理配置下引起所述单位单元中的不对称性。
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公开(公告)号：CN109073998A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027339.2
申请日：2017-03-01
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种确定图案化工艺的套刻的方法，该方法包括：获得检测到由单位单元的一个或多个物理实例重定向的辐射的表示，其中所述单位单元在套刻的标称值下具有几何对称性，并且其中通过用辐射光束照射衬底使得所述衬底上的光束斑点被所述单位单元的所述一个或多个物理实例填充来获得检测到的辐射的表示；以及由硬件计算机系统并且根据来自所述检测到的辐射的表示的光学特性值、与针对所述单位单元的第二套刻相分离地确定针对所述单位单元的第一套刻的值，所述第二套刻的值也从相同的光学特性值可获得，其中所述第一套刻处于与所述第二套刻不同的方向上，或者在与所述第二套刻不同的、所述单位单元的各部分的组合之间。
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公开(公告)号：CN109906409B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201780068264.2
申请日：2017-10-23
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： H·A·J·克拉默 , B·O·夫艾格金格奥尔
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开一种测量与衬底上的结构相关的感兴趣的参数的方法及相关联的量测设备。所述方法包括确定校正以补偿测量条件对来自多个测量信号中的测量信号的作用，其中所述多个测量信号中的每个测量信号由在所述测量条件的不同变化下执行的对所述结构的不同测量产生。所述校正接着用于所述结构的数学模型的重构，以抑制所述测量条件的变化对所述重构的影响。
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公开(公告)号：CN107924140B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201680049910.6
申请日：2016-08-22
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 衬底具有通过光刻工艺形成在其上的第一目标结构和第二目标结构，光刻工艺包括至少两个光刻步骤。每个目标结构具有形成在单个材料层中的二维周期性结构，其中在第一目标结构中，在第二光刻步骤中限定的特征相对于在第一光刻步骤中限定的特征移位第一偏差量，并且在第二目标结构中，在第二光刻步骤中限定的特征相对于在第一光刻步骤中限定的特征移位第二偏差量。获取第一目标结构的角分辨散射光谱和第二目标结构的角分辨散射光谱，并且从使用在第一目标结构和第二目标结构的散射光谱中发现的不对称的测量来得出光刻工艺的参数的测量。
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公开(公告)号：CN111742265A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201980014284.0
申请日：2019-01-24
申请人： ASML荷兰有限公司
摘要： 公开了一种针对测量应用(335；340；345)优化(300)测量照射的带宽的方法、以及一种相关联的量测装置。该方法包括：利用具有参考带宽的参考测量照射，执行(305)参考测量；以及执行(310；325)一个或多个优化测量，上述一个或多个优化测量中的每个优化测量是利用具有变化的候选带宽的测量照射来执行的。将一个或多个优化测量与参考测量进行比较(320)；并且基于比较，为测量应用选择(330)最佳带宽。
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公开(公告)号：CN111051987A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880055970.8
申请日：2018-08-07
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种包括用于测量器件制造工艺的参数的多个特征的基底以及相关联的方法和装置。该测量是通过用来自光学设备的测量辐射照射特征、并且检测由测量辐射与特征之间的相互作用引起的信号来进行的，其中多个特征包括以第一间距以周期性方式分布的第一特征和以第二间距以周期性方式分布的第二特征，并且其中第一间距和第二间距使得第一特征和第二特征的组合间距是恒定的，而不管多个特征中是否存在间距行走。
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公开(公告)号：CN109073997A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027338.8
申请日：2017-03-01
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种确定图案化工艺的套刻的方法，该方法包括：用辐射光束照射衬底，使得所述衬底上的光束斑点被单位单元的一个或多个物理实例填充，所述单位单元在套刻的标称值下具有几何对称性；使用检测器检测由所述单位单元的所述一个或多个物理实例重定向的主要零阶辐射；以及由硬件计算机系统从检测到的辐射的光学特性值确定所述单位单元的套刻的非标称值。
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公开(公告)号：CN109073996A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027336.9
申请日：2017-03-01
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种配置参数确定过程的方法，该方法包括：获得结构的数学模型，所述数学模型被配置为预测在用辐射光束照射所述结构时的光学响应，所述结构在标称物理配置下具有几何对称性；由硬件计算机系统使用所述数学模型来模拟所述结构的所述物理配置中的一定量的扰动，以确定多个像素中的每个像素中的所述光学响应的对应变化，从而获得多个像素灵敏度；以及基于所述像素灵敏度，确定多个权重，所述多个权重用于与衬底上的所述结构的经测量的像素光学特性值组合，以产生与所述物理配置中的变化相关联的参数的值，每个权重对应于一个像素。
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