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公开(公告)号：CN111201489B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201880065666.1
申请日：2018-10-09
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： N·加瓦赫里 , M·哈吉阿玛迪 , M·博兹库尔特 , A·达科斯塔·埃萨弗劳 , M·J·诺特 , S·G·J·马斯杰森 , 廉晋
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/47 , H01L23/544
摘要： 公开了一种用于测量与具有至少两个层的结构有关的感兴趣参数的方法和相关联的装置。方法包括利用测量辐射照射该结构并且检测由上述结构散射的散射辐射。散射辐射包括正常和互补的更高衍射阶。限定将散射辐射参数与至少一个感兴趣参数关联的散射测量模型和将散射辐射参数与至少一个不对称参数关联的不对称模型，该不对称参数与一个或多个测量系统误差和/或目标中的除两个层之间未对准之外的不对称有关。散射测量模型和不对称模型的组合被用于确定方程组，然后针对感兴趣的参数对方程组求解。
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公开(公告)号：CN114556167A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080071117.2
申请日：2020-09-24
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 约斯特·安德烈·克鲁格斯特 , A·尼基帕罗夫 , W·J·恩格伦 , 廉晋 , 保罗·亚历山大·维梅伦 , 哈利勒·戈凯·叶根
摘要： 一种扩散器，所述扩散器被配置成接收和透射辐射。所述扩散器包括散射层(510)，所述散射层被配置成散射所接收的辐射，所述散射层(510)包括第一物质且具有在其中分布的多个空隙。所述第一物质可以是散射物质，或替代地，所述空隙中的至少一个空隙可以包含所述散射物质，并且所述第一物质具有与所述散射物质相比更低的折射率。
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公开(公告)号：CN110622068B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201880024727.X
申请日：2018-03-15
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 公开了用于测量在衬底上形成的多个结构的方法和设备。在一种布置中，方法包括从第一测量过程获取数据。第一测量过程包括单独地测量多个结构中的每个结构以测量结构的第一特性。第二测量过程被用于测量多个结构中的每个结构的第二特性。第二测量过程包括利用具有辐射特性的辐射照射每个结构，辐射特性是使用针对该结构所测量的第一特性针对该结构单独地被选择的。
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公开(公告)号：CN113168122A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980082667.1
申请日：2019-11-19
申请人： ASML荷兰有限公司
摘要： 本公开涉及对光刻工艺的参数的测量以及量测装置。在一个布置中，修改来自辐射源的辐射，并且该辐射用于照射使用光刻工艺形成在衬底上的目标。对从目标散射的辐射进行检测和分析以确定参数。对辐射进行修改包括：修改辐射的波长谱以具有介于全局最大值与局部最大值之间的局部最小值，其中局部最小值处的辐射的功率谱密度小于全局最大值处的辐射的功率谱密度的20％，并且局部最大值处的辐射的功率谱密度至少为全局最大值处的辐射的功率谱密度的50％。
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公开(公告)号：CN116157743A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180060464.X
申请日：2021-07-06
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 公开了一种用于光刻过程的焦距测量的方法。所述方法包括：接收衬底，已经通过光刻设备利用照射光瞳在所述衬底上印制量测图案；利用量测工具照射所述量测图案以基于由所述量测图案散射的辐射来测量信号；和基于所测量的信号来确定或监测所述光刻过程的焦距。所述量测图案的至少一部分的位置依赖于焦距。所述量测图案的至少一部分已经由所述光刻设备利用角向不对称的照射光瞳来印制。
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公开(公告)号：CN115769151A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180048008.3
申请日：2021-06-10
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 披露了一种用于对宽带照射束进行光谱成形以获得经光谱成形的照射束的照射装置。所述照射装置包括：束分散元件，所述束分散元件用于分散所述宽带照射束；和空间光调制器，所述空间光调制器用于在所述宽带照射束被分散之后在空间上调制所述宽带照射束。所述照射装置还包括以下各项中的至少一个：束扩展元件，所述束扩展元件用于在至少一个方向上扩展所述宽带照射束，所述束扩展元件位于所述照射装置的输入与所述空间光调制器之间；和透镜阵列，其中每个透镜用于在所述宽带照射束被分散至所述空间光调制器的相应的区上之后引导所述宽带照射束的相应的波长带。
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公开(公告)号：CN111226174A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201880067657.6
申请日：2018-10-09
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 乔安科·拉文斯卑尔根 , D·阿克布卢特 , N·潘迪 , 廉晋
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 披露了一种量测设备，所述量测设备包括光学系统，所述光学系统用以将辐射聚焦至所述结构上且将来自所述结构的反射辐射引导至检测系统，所述光学系统被配置成将光学特性的多个不同的偏移施加至从所述结构反射之前和/或之后的辐射，使得相对于从光瞳平面场分布的第二点导出的反射辐射，将对应的多个不同的偏移提供至从所述光瞳平面场分布的第一点导出的反射辐射；所述检测系统检测由从所述光瞳平面场分布的所述第一点导出的反射辐射与从所述光瞳平面场分布的所述第二点导出的反射辐射之间的干涉引起的对应的多个辐射强度，每个辐射强度对应于所述多个不同的偏移中的不同的一个偏移。
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公开(公告)号：CN110622068A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880024727.X
申请日：2018-03-15
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 公开了用于测量在衬底上形成的多个结构的方法和设备。在一种布置中，方法包括从第一测量过程获取数据。第一测量过程包括单独地测量多个结构中的每个结构以测量结构的第一特性。第二测量过程被用于测量多个结构中的每个结构的第二特性。第二测量过程包括利用具有辐射特性的辐射照射每个结构，辐射特性是使用针对该结构所测量的第一特性针对该结构单独地被选择的。
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公开(公告)号：CN117242400A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280029347.1
申请日：2022-03-23
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 廉晋 , A·E·A·科伦 , 塞巴斯蒂安努斯·阿德里安努斯·古德恩 , 林慧全
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 公开了一种确定对目标的测量的校正的方法和相关联的设备。所述测量受到依赖于目标的校正参数的影响，所述依赖于目标的校正参数具有对目标和/或包括目标的叠层的依赖性。所述方法包括：获得与对基准目标的测量有关的第一测量数据，所述第一测量数据至少包括第一组强度参数值和第二组强度参数值；和与对所述基准目标的测量有关的第二测量数据，所述第二测量数据包括第三组强度参数值。目标不变量校正参数是从所述第一测量数据和第二测量数据确定的，所述目标不变量校正参数是所述依赖于目标的校正参数的不依赖于所述目标和/或叠层的分量；并且所述校正是从所述目标不变量校正参数确定的。
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公开(公告)号：CN116601484A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180082336.5
申请日：2021-12-02
申请人： ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
IPC分类号： G01N21/956
摘要： 量测系统(400)包括多源辐射系统。多源辐射系统包括波导装置(502)并且多源辐射系统被配置为生成一个或多个辐射束。量测系统(400)还包括相干调整器(500)，相干调整器(500)包括多模波导装置(504)。多模波导装置(504)包括输入和输出(518)，输入被配置为接收来自多源辐射系统(514)的一个或多个辐射束，输出(518)被配置为输出用于辐照目标(418)的经相干调整的辐射束。量测系统(400)还包括致动器(506)，致动器(506)被耦合到波导装置(502)并且被配置为致动波导装置(502)，以便改变多模波导装置(504)的输入处的一个或多个辐射束的冲击特性。
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