公开了设备与方法，其用于将衬底提供到处理室中的衬底支撑件上；在所述处理室中产生惰性等离子体；以及维持所述惰性等离子体，以在从提供所述衬底到所述衬底支撑件上小于30秒内将所述衬底加热到稳定状态温度，其中所述稳定状态温度适于进行等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。一种设备可包含：处理室；处理站，该处理站包括衬底支撑件；处理气体单元，该处理气体单元被设置成使惰性气体流动到由该衬底支撑件所支撑的衬底上；等离子体源，该等离子体源被设置成在该处理站中产生惰性等离子体；以及控制器，该控制器包括被设置成执行以下操作的指令：使该惰性气体流动到该衬底上；在第一处理站中产生该惰性等离子体；以及维持该惰性等离子体以由此加热该衬底。