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公开(公告)号：CN118098919A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410031549.0
申请日：2020-05-22
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 迈克尔·菲利普·罗伯茨 , 布莱恩·威廉姆斯 , 弗朗西斯科·J·华雷斯 , 雷切尔·E·巴策尔 , 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 理查德·菲利普斯 , 杨诺亚 , 约瑟夫·L·沃马克 , 李明 , 钱俊 , 洪图 , 斯凯·穆勒诺
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/54
摘要： 本文提供了用于独立调整流路传导性的方法及装置。一种多站处理装置可以包括：处理室；位于所述处理室中的多个处理站，其各自包括具有进气口的喷头；以及气体输送系统，其包括接合点和多个流路，其中每一流路：包括流量元件，包括温度控制单元，其与所述流量元件热连接，且其是能控制的以改变所述流量元件的温度，以及将处理站的一个对应进气口流体连接至所述接合点，使得所述多个处理站中的每一处理站通过不同流路流体连接至所述接合点。
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公开(公告)号：CN117981042A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280064268.4
申请日：2022-09-15
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/687
摘要： 一种处理衬底的方法，将该衬底装载至穿过基座的多个升降销上，该基座配置在处理室中。将该多个升降销降低以将该衬底搁置在该基座上。供应沉积气体混合物以将膜沉积在该衬底上。停止该沉积气体混合物的该供应。使用该多个升降销将该衬底升高至该处理室中的该基座之上。供应蚀刻气体混合物。在该衬底与该基座的该表面之间激励该处理室中的等离子体以去除残留膜。
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公开(公告)号：CN118660987A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202280090426.3
申请日：2022-12-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/509 , H01L21/683
摘要： 一种静电卡盘(ESC)底涂系统包含存储器和控制器。该存储器储存底涂应用。该控制器被配置成执行该底涂应用以进行：确定底涂参数；执行完整清洁工艺以移除在衬底处理系统的处理室中的底涂沉积物；以及基于该底涂参数，执行一或多个沉积工艺，以在该ESC上沉积一或多个底涂层，以提供具有总厚度介于7‑15μm之间的整体底涂层，在该ESC上的衬底进行后续沉积工艺期间，该一或多个底涂层提供对该ESC的保护。
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公开(公告)号：CN114207767B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202080055744.7
申请日：2020-05-22
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 迈克尔·菲利普·罗伯茨 , 布莱恩·威廉姆斯 , 弗朗西斯科·J·华雷斯 , 雷切尔·E·巴策尔 , 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 理查德·菲利普斯 , 杨诺亚 , 约瑟夫·L·沃马克 , 李明 , 钱俊 , 洪图 , 斯凯·穆勒诺
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/54
摘要： 本文提供了用于独立调整流路传导性的方法及装置。一种多站处理装置可以包括：处理室；位于所述处理室中的多个处理站，其各自包括具有进气口的喷头；以及气体输送系统，其包括接合点和多个流路，其中每一流路：包括流量元件，包括温度控制单元，其与所述流量元件热连接，且其是能控制的以改变所述流量元件的温度，以及将处理站的一个对应进气口流体连接至所述接合点，使得所述多个处理站中的每一处理站通过不同流路流体连接至所述接合点。
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公开(公告)号：CN113892168A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080039328.8
申请日：2020-03-26
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 巴特·J·范施拉芬迪克 , 苏玛娜·哈玛 , 欧铠麟 , 李明 , 马来·米兰·萨曼塔雷
IPC分类号： H01L21/311 , H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L21/02 , C23C16/34 , C23C16/505
摘要： 公开了用于仅在例如3D NAND阶梯之类的结构的水平表面上形成硅氮化物(SiN)的方法。这允许用于后续形成通孔的较厚着陆垫。在一些实施方案中，所述方法涉及在阶梯上沉积SiN层，接着进行处理以相对于侧壁表面而选择性地使水平表面上的SiN层致密化。接着，执行湿蚀刻以将SiN从侧壁表面移除。选择性的处理在水平表面和侧壁之间造成明显不同的湿蚀刻速率(WER)。
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公开(公告)号：CN118613897A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202380019023.4
申请日：2023-01-30
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 孟昕 , 梁德富 , 康虎 , 约瑟夫·林德赛·沃玛克 , 李明
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/02 , C23C16/04 , C23C16/505 , C23C16/458
摘要： 本文描述了一种使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理以调节晶片上的薄膜生长的处理室和方法。在第一沉积阶段期间，在处理室中的基座上所设置的晶片上沉积膜的第一部分。在第二沉积阶段期间，在该晶片上沉积该膜的第二部分。该晶片在该第一和/或该第二沉积阶段之前从该基座解除夹持，且在该第一和/或该第二沉积阶段期间保持解除夹持。该晶片在该解除夹持的沉积阶段期间具有非零晶片弯曲，以在晶片上提供该膜的径向不均匀厚度轮廓。
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公开(公告)号：CN118366839A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410305146.0
申请日：2022-01-14
申请人： 朗姆研究公司
摘要： 一种用于等离子体处理室的约束环包括上部水平区段、竖直区段和下部水平区段。上部水平区段在约束环的上部内半径和外半径之间延伸，下部水平区段在约束环的下部内半径和外半径之间延伸，并且包括延伸到下部内半径的延伸区段。下部水平区段的顶表面提供向下朝向下部内半径的角度。竖直区段设置在约束环的外半径和内侧半径之间。竖直区段将约束环的上部水平区段连接到下部水平区段。
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公开(公告)号：CN114207767A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080055744.7
申请日：2020-05-22
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 迈克尔·菲利普·罗伯茨 , 布莱恩·威廉姆斯 , 弗朗西斯科·J·华雷斯 , 雷切尔·E·巴策尔 , 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 理查德·菲利普斯 , 杨·诺亚 , 约瑟夫·L·沃马克 , 李明 , 钱俊 , 洪图 , 斯凯·穆勒诺
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/455 , C23C16/54
摘要： 本文提供了用于独立调整流路传导性的方法及装置。一种多站处理装置可以包括：处理室；位于所述处理室中的多个处理站，其各自包括具有进气口的喷头；以及气体输送系统，其包括接合点和多个流路，其中每一流路：包括流量元件，包括温度控制单元，其与所述流量元件热连接，且其是能控制的以改变所述流量元件的温度，以及将处理站的一个对应进气口流体连接至所述接合点，使得所述多个处理站中的每一处理站通过不同流路流体连接至所述接合点。
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公开(公告)号：CN113196449A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980083457.4
申请日：2019-10-02
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67 , C23C16/455
摘要： 公开了设备与方法，其用于将衬底提供到处理室中的衬底支撑件上；在所述处理室中产生惰性等离子体；以及维持所述惰性等离子体，以在从提供所述衬底到所述衬底支撑件上小于30秒内将所述衬底加热到稳定状态温度，其中所述稳定状态温度适于进行等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。一种设备可包含：处理室；处理站，该处理站包括衬底支撑件；处理气体单元，该处理气体单元被设置成使惰性气体流动到由该衬底支撑件所支撑的衬底上；等离子体源，该等离子体源被设置成在该处理站中产生惰性等离子体；以及控制器，该控制器包括被设置成执行以下操作的指令：使该惰性气体流动到该衬底上；在第一处理站中产生该惰性等离子体；以及维持该惰性等离子体以由此加热该衬底。
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