提供了一种等离子体加工方法和一种等离子体加工装置，在此方法和装置中用施加范围在20到450兆赫的高频电力，同时把范围在30到300V或-30到-300V的直流电压和/或范围在30到600V的交流电压施加到被抽空的反应室中的基底上的方法，在也用作一个电极的基底上制作沉积薄膜。这一方法使得把等离子体和薄膜厚度的分布变均匀成为实际可能的，而与放电频率和所施加的高频电力无关，从而加宽了加工(比如薄膜制作)条件允许的范围和装置设计的允许范围。