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公开(公告)号：CN1095096C
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN97103146.0
申请日：1997-01-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/26 , G03G5/0433 , G03G5/08221 , G03G5/08285 , G03G5/14704
Abstract: 一种光接收元件，包括导电衬底，光电导层，和由含氢原子的非单晶碳材料组成的表面保护层，其中表面保护层的20埃或更厚的表面侧层区域，用以50MHz到450MHz振荡频率的甚高频能(VHF)分解含氟的气产生的含氟等离子体，以0.1到50埃/秒的刻蚀速度刻蚀，使表面保护层具有100埃到10000埃的厚度的淀积了氟原子的刻蚀表面，以覆盖刻蚀表面。和一种生产上述光接收元件的方法。
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公开(公告)号：CN1129037C
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN98106913.4
申请日：1998-04-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/04
CPC classification number: G03G5/0433 , G03G5/08285 , G03G5/14704
Abstract: 提供了一种光接收部件，该光接收部件包括设置在导电基底上的光电导层以及设置在所述光电导层上的表面层，所述表面层包括至少包含氟的非单晶碳，其中所述表面层的其中心位于红外吸收谱中的1200cm-1或1120cm-1附近的峰的面积与其中心在2920cm-1附近的峰的面积的比值在从0.1至50的范围内。该光接收部件使得能够在任何条件下，在不采用用于光接收部件的加热装置的情况下，获得没有模糊图象或不清楚的图象的高质量的图象，并具有足以保持这种高质量特性的高耐久性。
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公开(公告)号：CN1115596C
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN96105669.X
申请日：1996-04-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/44 , G03G5/08235 , G03G5/08264 , G03G5/08278
Abstract: 用于生产包括表层的光接收部件的一种工艺，该工艺包括形成包含碳原子、氧原子与氮原子之中至少一种的非单晶材料层，并以含氟原子的气体蚀刻该层，其中形成与蚀刻在一个能够减少其内部压力的反应器中交替地重复进行多次以便在一个衬底上形成表层；以及应用这种光接收部件的电子照相装置和应用这种光接收部件的电子照相方法。
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公开(公告)号：CN1132800A
公开(公告)日：1996-10-09
申请号：CN95120912.4
申请日：1995-12-15
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/32082 , C23C16/509 , C23C16/5093 , G03G5/08214 , G03G5/08278 , H01J37/32706
Abstract: 提供了一种等离子体加工方法和一种等离子体加工装置，在此方法和装置中用施加范围在20到450兆赫的高频电力，同时把范围在30到300V或-30到-300V的直流电压和/或范围在30到600V的交流电压施加到被抽空的反应室中的基底上的方法，在也用作一个电极的基底上制作沉积薄膜。这一方法使得把等离子体和薄膜厚度的分布变均匀成为实际可能的，而与放电频率和所施加的高频电力无关，从而加宽了加工(比如薄膜制作)条件允许的范围和装置设计的允许范围。
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公开(公告)号：CN102687080A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080058684.0
申请日：2010-12-16
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/08
CPC classification number: G03G5/08235 , G03G5/08214
Abstract: 本发明提供一种具有a-SiC上部电荷注入阻止层和a-SiC表面层的电子照相感光构件，其粘附性优异、抑制表面劣化，感光度特性和带电特性优异，并可长期保持足够的图像形成能力。相对于上部电荷注入阻止层中的硅原子，上部电荷注入阻止层包含10原子ppm以上至30,000原子ppm以下的周期表第13族原子或第15族原子，和上部电荷注入阻止层中的碳原子数(C)与上部电荷注入阻止层中的硅原子数和碳原子数之和的比(C/(Si+C))为0.10以上至0.60以下；和表面层中硅原子的原子密度与碳原子的原子密度之和为6.60×1022原子/cm3以上，和表面层中的碳原子数(C)相对于硅原子数(Si)和碳原子数(C)之和的比(C/(Si+C))为0.61以上至0.75以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1126991C
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN98106915.0
申请日：1998-04-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/00
CPC classification number: G03G5/14773 , G03G5/0433 , G03G5/08285
Abstract: 为了改善光敏部件表面上色调剂的释放性能和滑溜性，由具有低自旋密度和短的自旋松弛时间且至少包括氢原子的非单晶碳膜形成光敏部件的表面层，从而提供能形成很精密和高质量的图象且有很长的寿命，并提供一种光敏部件，它有高灵敏度，可不引起因泄放造成的有任何缺陷的图象，并能够随时间无任何变化、稳定地获得无重影、高质量的图象。
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公开(公告)号：CN1196505A
公开(公告)日：1998-10-21
申请号：CN98106913.4
申请日：1998-04-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/04
CPC classification number: G03G5/0433 , G03G5/08285 , G03G5/14704
Abstract: 提供了一种光接收部件,该光接收部件包括设置在导电基底上的光电导层以及设置在所述光电导层上的表面层,所述表面层包括至少包含氟的非单晶碳,其中所述表面层的其中心位于红外吸收谱中的1200cm－1或1120cm－1附近的峰的面积与其中心在2920cm－1附近的峰的面积的比值在从0.1至50的范围内。该光接收部件使得能够在任何条件下,在不采用用于光接收部件的加热装置的情况下,获得没有模糊图象或不清楚的图象的高质量的图象,并具有足以保持这种高质量特性的高耐久性。
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公开(公告)号：CN1057349C
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：CN95120912.4
申请日：1995-12-15
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/32082 , C23C16/509 , C23C16/5093 , G03G5/08214 , G03G5/08278 , H01J37/32706
Abstract: 提供了一种等离子体加工方法和一种等离子体加工装置，在此方法和装置中用施加范围在20到450兆赫的高频电力，同时把范围在30到300V或-30到-300V的直流电压和/或范围在30到600V的交流电压施加到被抽空的反应室中的基底上的方法，在也用作一个电极的基底上制作沉积薄膜。这一方法使得把等离子体和薄膜厚度的分布变均匀成为实际可能的，而与放电频率和所施加的高频电力无关，从而加宽了加工(比如薄膜制作)条件允许的范围和装置设计的允许范围。
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公开(公告)号：CN1196504A
公开(公告)日：1998-10-21
申请号：CN98106915.0
申请日：1998-04-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/00
CPC classification number: G03G5/14773 , G03G5/0433 , G03G5/08285
Abstract: 为了改善光敏部件表面上色调剂的释放性能和滑溜性,由具有低自旋密度和短的自旋松驰时间且至少包括氢原子的非单晶碳膜形成光敏部件的表面层,从而提供能形成很精密和高质量的图象且有很长的寿命,并提供一种光敏部件,它有高灵敏度,可不引起因泄放造成的有任何缺陷的图象,并能够随时间无任何变化、稳定地获得无重影、高质量的图象。
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公开(公告)号：CN1168489A
公开(公告)日：1997-12-24
申请号：CN97103146.0
申请日：1997-01-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/56 , C23C16/26 , G03G5/0433 , G03G5/08221 , G03G5/08285 , G03G5/14704
Abstract: 一种光接收元件，包括导电衬底，光电导层，和由含氢原子的非单晶碳材料组成的表面保护层，其中表面保护层的20埃或更厚的表面侧层区域，用以50MHz到450MHz振荡频率的甚高频能(VHF)分解含氟的气产生的含氟等离子体，以0.1到50埃/秒的刻蚀速度刻蚀，使表面保护层具有100埃到10000埃的厚度的淀积了氟原子的刻蚀表面，以覆盖刻蚀表面。和一种生产上述光接收元件的方法。
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