本发明涉及半导体生产加工领域，具体公开了一种提高晶片抛光厚度均匀性的方法，包括以下步骤：使用抛光头对多个呈环形排布的测试晶片进行抛光处理，得到抛光后的测试晶片；获取抛光后每个测试晶片不同位置的厚度数据；根据所述厚度数据确定所述抛光头不同位置的压力值；根据所述抛光头不同位置的压力值确定校正垫板的形状；将确定的校正垫板放置在所述抛光头与抛光盘之间；对抛光盘上的待处理晶片进行抛光处理。根据测试晶片不同位置的厚度数据确定抛光头不同位置的压力分布，进而确定校正垫板的形状，通过校正垫板的加入来调节抛光头的压力均匀性。