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公开(公告)号：CN116899519A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310666666.X
申请日：2023-06-06
申请人： 金华博蓝特新材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种高效合成高质量碳化硅的装置及方法，该高效合成高质量碳化硅的装置包括装置本体和石墨盖板，所述装置本体具有顶端敞口的容纳腔，所述容纳腔内沿其高度方向由底部到顶端依次设有第一过滤板和第二过滤板，并通过所述第一过滤板和所述第二过滤板分隔为原料区、过滤区和反应区；所述石墨盖板盖设在所述装置本体的顶端敞口处，用于收集合成的碳化硅晶体。采用该高效合成高质量碳化硅的装置能够合成高质量纯度的碳化硅晶体，同时能够提高合成效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN115971981A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310027334.7
申请日：2023-01-09
申请人： 金华博蓝特新材料有限公司
摘要： 本申请涉及晶片加工技术领域的一种蓝宝石衬底表面加工方法及抛光机，蓝宝石衬底表面加工方法包括：用切割线将晶棒切割分成晶圆；对所述晶圆进行双面研磨处理；对所述晶圆进行双面抛光处理，并在抛光时对抛光液PH值、抛头压力和抛光作业温度进行实时监测和调控。本申请在抛光工艺中精确控制抛光过程中的PH值等工艺数据，提高在该过程中的物理化学反应，在整个去划痕抛光工艺中各方面数据保持动态平衡，增强了对蓝宝石衬底表面划痕和坑洞等缺陷的处理，大大提升了蓝宝石衬底的品质。
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公开(公告)号：CN115592559A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211234362.8
申请日：2022-10-10
申请人： 金华博蓝特新材料有限公司(CN)
摘要： 本申请涉及蓝宝石新材料技术领域的一种晶片研磨装置，包括：研磨盘，所述研磨盘一侧形成晶片的承载平面；第一轴，所述第一轴位于所述承载平面一侧并与所述承载平面垂直，所述第一轴靠近承载平面边缘处；研磨砂轮，所述研磨砂轮连接于所述第一轴上，所述研磨砂轮包括研磨面，所述研磨面外圈延伸至所述承载平面中心点；固定组件，设于所述基座上，用于将所述晶片固定在所述承载平面上。本申请的晶片研磨装置在保证晶片减薄效率的同时，减少了工艺步骤，降低了崩边碎片发生的可能性，并能满足面型曲圆化晶片的加工。
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公开(公告)号：CN113290426B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110406099.5
申请日：2021-04-15
申请人： 金华博蓝特新材料有限公司
摘要： 本发明涉及半导体生产加工领域，具体公开了一种提高晶片抛光厚度均匀性的方法，包括以下步骤：使用抛光头对多个呈环形排布的测试晶片进行抛光处理，得到抛光后的测试晶片；获取抛光后每个测试晶片不同位置的厚度数据；根据所述厚度数据确定所述抛光头不同位置的压力值；根据所述抛光头不同位置的压力值确定校正垫板的形状；将确定的校正垫板放置在所述抛光头与抛光盘之间；对抛光盘上的待处理晶片进行抛光处理。根据测试晶片不同位置的厚度数据确定抛光头不同位置的压力分布，进而确定校正垫板的形状，通过校正垫板的加入来调节抛光头的压力均匀性。
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公开(公告)号：CN115194604A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210720083.6
申请日：2022-06-23
申请人： 金华博蓝特新材料有限公司
IPC分类号： B24B13/02 , B24B27/00 , B24B13/005 , B24B13/00 , B24B1/00
摘要： 本申请涉及一种面型曲圆化元件加工装置及加工方法，包括：载料盘，所述载料盘一侧形成载料区，所述载料区包括载料平面；驱动轴，所述驱动轴设于载料平面中心点正上方，且驱动轴垂直于载料平面；第一研磨头，第一研磨头一端连接于驱动轴上，第一研磨头包括研磨面，研磨面与载料平面之间的夹角为0‑30，且研磨面靠近载料平面中心一端与载料平面的间距大于研磨面靠近载料平面边缘一端与载料平面的间距。本申请的加工装置，由于第一研磨头的研磨面与载料平面水平方向整体呈倾斜的状态，使得蓝宝石圆片上表面在第一研磨头的不断打磨下，可以有效形成规格要求坡度的面型曲圆化蓝宝石衬底，提高了面型曲圆化蓝宝石衬底加工的品质。
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公开(公告)号：CN118621430A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410681040.0
申请日：2024-05-29
申请人： 金华博蓝特新材料有限公司
摘要： 本申请涉及碳化硅新材料技术领域的一种晶体生长装置，包括：坩埚，所述坩埚的内部空间由下至上依次形成有原料区和长晶区；过滤件，所述过滤件设于所述长晶区，所述过滤件靠近所述长晶区的外围布置。本申请的晶体生长装置可以减少晶体缺陷的产生，提高所生长晶体的品质，在保证长晶厚度能达标的同时，提高晶体质量，降低生产成本，解决晶锭边缘易出现的多晶杂晶缺陷同时减少晶体后续处理工序中的开裂问题。
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公开(公告)号：CN117845336A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311831851.6
申请日：2023-12-27
申请人： 金华博蓝特新材料有限公司
IPC分类号： C30B35/00
摘要： 本申请涉及碳化硅新材料技术领域的一种坩埚装置，包括：坩埚本体，所述坩埚本体包括内壁，所述内壁的围设区域形成长晶区，所述长晶区包括第一工作区和第二工作区，所述第一工作区的工作温度大于所述第二工作区的工作温度；涂层，所述涂层覆盖所述内壁，所述涂层的厚度在所述第一工作区大于所述第二工作区。本申请的坩埚装置可以提升对坩埚装置整体的防护，提高坩埚装置内部碳化硅的长晶的品质。
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公开(公告)号：CN116497453A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310506982.0
申请日：2023-05-04
申请人： 金华博蓝特新材料有限公司
摘要： 本申请涉及碳化硅新材料技术领域的一种应用于籽晶粘结的热压装置以及籽晶粘接方法，热压装置包括：底座，所述底座的其中一侧形成有第一环槽，所述底座位于所述第一环槽围设的区域内形成籽晶的承载面；定位环，所述定位环的其中一端形成连接端，所述连接端与所述第一环槽适配；压块，所述压块与所述定位环的内圈相适配，所述压块的其中一侧形成籽晶的接触面。本申请的热压装置可以将籽晶粘结胶水中的气泡由中心向四周逐渐排出，并使籽晶平衡受压，得到籽晶相对底座以及籽晶自身均达到高平整度的粘接结果，使籽晶能够以更平整的方式进行后一步的长晶。
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公开(公告)号：CN116175404A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310100926.7
申请日：2023-01-28
申请人： 金华博蓝特新材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种贴蜡晶片、贴蜡方法及其在改良衬底边缘色差中的应用，该贴蜡方法通过在晶片上先形成薄胶层实现贴蜡表面的平整，之后对薄胶层以及蜡层进行抽真空操作的同时加压处理，从而将薄胶层以及蜡层中的气泡抽出，保证表面平整，边缘无塌边现象，边缘色差得以改善，大大提升了贴蜡晶片的质量，同时还提高了工作效率以及还降低了企业成本。
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