本发明的半导体装置包含：半导体层，包含有源部和栅极指状物部；MIS晶体管，被形成于所述有源部，并且，包含栅极沟槽、以及依次沿着所述栅极沟槽的侧面的源极区域、沟道区域和漏极区域；多个第一栅极指状物沟槽，在所述栅极指状物部中由所述栅极沟槽的延长部构成；栅极电极，埋入到所述栅极沟槽和所述第一栅极指状物沟槽中；第二导电型的第一底部杂质区域，被形成于所述第一栅极指状物沟槽的至少底部；栅极指状物，横穿过所述多个第一栅极指状物沟槽，电连接于所述栅极电极；以及第二导电型的电场缓和区域，在相邻的所述第一栅极指状物沟槽之间形成得比所述第一栅极指状物沟槽的底部深。