Invention Publication
- Patent Title: 半导体存储器的训练方法及相关设备
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Application No.: CN202010219422.3Application Date: 2020-03-25
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Publication No.: CN113450852APublication Date: 2021-09-28
- Inventor: 龙光腾 , 许小峰 , 连军委
- Applicant: 长鑫存储技术有限公司
- Applicant Address: 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
- Assignee: 长鑫存储技术有限公司
- Current Assignee: 长鑫存储技术有限公司
- Current Assignee Address: 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
- Agency: 北京律智知识产权代理有限公司
- Agent 袁礼君; 孙宝海
- Main IPC: G11C11/34
- IPC: G11C11/34 ; G11C11/4072

Abstract:
本公开关于一种半导体存储器的训练方法及相关设备。该方法包括:从多个参考电压中选取相邻的两个参考电压作为第一参考电压和第二参考电压;根据每根目标信号线在第一参考电压下的最小时延值,获得多根目标信号线在第一参考电压下的第一最小时延值;根据每根目标信号线在第二参考电压下的最小时延值,获得多根目标信号线在第二参考电压下的第二最小时延值;根据第一最小时延值和第二最小时延值,确定期望时延值所在目标区间,期望时延值为多个参考电压下多根目标信号线的最小时延值中的最大值;在目标区间内查找期望时延值,以确定期望时延值对应的参考电压作为半导体存储器的训练结果。
Public/Granted literature
- CN113450852B 半导体存储器的训练方法及相关设备 Public/Granted day:2022-04-12
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