本发明公开了一种超柔性透明半导体薄膜及其制备方法，该方法包括：提供一外延衬底；在外延衬底上生长牺牲层；在牺牲层上层叠生长至少一层Al1‑nGanN外延层，其中，0＜n≤1；在Al1‑nGanN外延层上生长含有GaN材料的纳米柱阵列；刻蚀牺牲层，以将牺牲层上的外延结构整体剥离；将剥离后的外延结构转移至柔性透明衬底的表面。相对于传统的平面薄膜，本发明不仅可以通过释放应力提高晶体质量，也能通过纳米柱材料自身的特点提高柔性和透明度。另外，外延结构所需的缓冲层和牺牲层的总厚度可以很小，而且外延生长过程中无需额外的催化剂，有利于降低外延成本和工艺难度。本发明实用性强，可为隐形半导体器件和超柔性器件提供技术支持。