- 专利标题: 一种十字梁膜应力集中微压传感器芯片及其制备方法
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申请号: CN202110462429.2申请日: 2021-04-27
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公开(公告)号: CN113551812B公开(公告)日: 2023-06-27
- 发明人: 王鸿雁 , 李学琛 , 关卫军 , 吴永顺 , 魏于昆 , 山涛 , 王爱华 , 付磊 , 赵立波 , 韩香广 , 皇咪咪 , 徐廷中 , 杨萍 , 王李 , 陈翠兰 , 罗国希 , 王永录 , 蒋庄德
- 申请人: 陕西省计量科学研究院 , 西安交通大学
- 申请人地址: 陕西省西安市雁塔区东仪路3号;
- 专利权人: 陕西省计量科学研究院,西安交通大学
- 当前专利权人: 陕西省计量科学研究院,西安交通大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市雁塔区东仪路3号;
- 代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 王艾华
- 主分类号: G01L1/18
- IPC分类号: G01L1/18 ; G01L9/06 ; C23C14/34 ; C23C14/16 ; C23C14/58 ; C23C16/40 ; C23C16/50 ; C23C16/56
摘要:
本发明公开了一种十字梁膜应力集中微压传感器芯片及其制备方法,感器芯片包括承压薄膜、硅基底、压敏电阻条、金属引线和防过载玻璃基底等。具体结构为在硅基底背面刻蚀形成承压薄膜以及半岛与岛屿结构,在硅基底正面刻蚀四块钻石形区域形成十字梁。芯片背腔相邻的岛屿与岛屿之间、岛屿与半岛之间的间隙所对应的芯片正面形成应力集中区域,四个压敏电阻条布置在该应力集中区域上,利用重掺杂欧姆接触区、金属引线以及金属焊盘将压敏电阻条连接形成惠斯通电桥,十字梁的存在可以进一步提高压敏电阻条处的应力集中效果。
公开/授权文献
- CN113551812A 一种十字梁膜应力集中微压传感器芯片及其制备方法 公开/授权日:2021-10-26